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时间:2020-03-28
《金属化薄膜电容器损耗角正切的测量与评价.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第36卷第1期:0054—0056电力电容器与无功补偿Vo1.36,No.1:0054-00562015年2月PowerCapacitor&ReactivePowerCompensationFeb.2015DOhl0.14044/j.1674-1757.pcrpc.2015.01.012金属化薄膜电容器损耗角正切的测量与评价陈才明(宁波新容电器科技有限公司,浙江宁波315202)摘要:电容器的损耗是由介质损耗和金属损耗二部分组成,损耗角正切(tanB)是金属化薄膜电容器重要技术参数,如果通过测试能找出
2、引起损耗超标的原因,将有利于产品质量的持续改进提高。通过简化电容器的等效电路和采用不同频率的测量分析。可定性判定损耗角正切超标的原因,同时指出测量金属化薄膜电容器损耗角正切(ta)应着重于产品的一致性和试验后增量,对于追求“越小越好”的观点需要改变关键词:金属化薄膜电容器;损耗角正切;介质损耗;金属损耗MeasurementandEvaluationontan8ofMetalizedFilmCapacitorCHENCaiming(NingboShineElectricalTechnologiesCo
3、.,Ltd.,Ningbo315202,China)Abstract:Thelossofcapacitorismadeupofsuchtwopartsasdielectriclossandmetallossandtangentoflossangle(tan8)isimportanttechnicalparalmetersofmetalizedfilmcapacitor.Ifthereasonofwhichthelossexceedsthespecifiedvaluecanbefoundoutbytes
4、t.itwillbehelpfulinsustainingimprovementoftheproductquality.Thereasonoftan8exceedingthespecifiedvaluecanbequalitativelyjudgedbywayofsimplifyingtheequivalentcircuitofcapacitorandofusingmeasurementanalysisatdifferentfrequenciesand,atthesametime,theproduct
5、’Sconsistencyandincrementafterthetestinthemeasurementoftan8metalizedfilmcapacitorshouldbefocusedandsuchideaas‘thesmallerthebetter’shouldbechanged.Keywords:metalizedfilmcapacitor;tan8;dielectricloss;metalloss极化引起的极化损耗和局部放电引起的损耗I3]。损O引言耗角正切(tan~)dx,有功消耗引起
6、的发热就小,电容电容器在工作过程因发热而消耗的能量叫电器的使用寿命就长。在工程实际测试中能否区分两种容器的损耗。由于电容器损耗的存在,使加在电容损耗和追求小的损耗角正切是制造方和使用方共同器的电压与电流之间的夹角(相位角)不是理想的的目标,所以对损耗角正切的测量与评价很有必要。90。,而是偏离了一个度,这个角就称为电容器1电容器的等值电路的损耗角,它表示电容器的损耗大小,损耗角正切(tanS)就是有功消耗与无功功率的比值⋯。有关标实际电容器的等值电路是一个理想纯电容器准中将损耗角正切(tanS)定义为
7、在规定的正弦交流与串联电阻和并联电阻组成的电路,如图1所示。电压和频率下电容器的等值串联电阻和容抗之比值[。电容器的有功损耗包括金属损耗和介质损耗二部分,金属损耗包括金属极板电阻产生的损耗、金R2属极板与引线接触电阻以及引出线电阻产生的损图1等值电路图耗。介质损耗包括介质漏电流引起的电导损耗、介质Fig.1Equivalentcircuitdiagram收稿日期:2014.08.24·54·2015年第1期·试验与研究·陈才明金属化薄膜电容器损耗角正切的测量与评价(总第157期)电容器同时存在着串联和
8、并联损耗,要分析等容C(即极板面积)大时其漏导电流也大,就小,JR效电路中电阻、电容、频率与损耗角正切的关系比较与电容G成反比,所以二者相抵后并联等效的损耗困难,为了能简单、直观地分析,可以进行简化处理。角正切(tanS)与电容C基本无关,不随电容C变化。1.1串联等效由于电容器存在着串联损耗,所以随测试频率将电容器损耗等效反映在一个串联电阻上,提高测试值也在增大。如果在高频测试时合格。在可采用等值串联电路来分析,等值串联电路如图2低频测试时不合格.可判
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