一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf

一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf

ID:57744362

大小:1.26 MB

页数:6页

时间:2020-03-27

一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf_第1页
一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf_第2页
一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf_第3页
一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf_第4页
一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf_第5页
资源描述:

《一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第27卷第10期传感技术学报V01.27No.10CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS0ct.20142014年10月DesignandImplementationofLowPowerRFFrontEndAppliedinIntelligentSensorTIANXiaoming,BAIChunfeng,Jianhui(NationalASICsystemengineeringresearchcenter,SoutheastUniversity,Nanfing210096,China)Abstract:AlowpowerRFfrontend,which

2、includeslownoiseamplifier(LNA)anddownmixer,isemployedinanintelligentsensor.ThewirelesscommunicationsofintelligentsensorsarebasedonZigbeeprotocol,andaZigbeere—ceivergenerallyuseslowIFarchitechturetoobtainagoodtrade—ofbetweenhighsensivityandlowpower.ProposedLNAadoptsacommongate(CG)noisecancelation

3、structureandemploys‘gboost’techniquetoachievealownoisefigure(NF)foralowpowerconsumptionandasimplifiedimpedancematchingnet.Passivearchitechtureisemployedinthedesignofdownmixerwithboththeinputtranseonduetancestageandtheoutputtransimpedancestagereducingpowerconsumptionbyemploying‘gboost’technique.B

4、esides,passivemixingswitchconsumesnOquiescentcurrent,whichalsocontributetothelowpowerdesign.ThedesignisimplementedinTSMC0.13txmCMOSRFtechnologywiththecircuitconsuming0.12mmactiveareaand5.4mWpoweratthesupplyof1.2V.SimulationresultsrevealthatLNAachievesaperformanceof2.1dBNFandS1Ibelow一30dB,aswella

5、sthemixerobtains27.7dBconversiongain.What’Smore.5.4dBNFand5.5dBmIIP3ismeasuredinthetestofRFfrontend,whichiscompetentforintelligentsensorapplications.Keywords:intelligentsensor;lowpowerRFfrontend;noisecancellation;gboost;passivemixerEEACC:6270doi:10.3969/j.issn.1004-1699.2014.10.005一种智能传感器射频前端的低功

6、耗设计与实现田晓明,白春风,吴建辉(东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096)摘要:叙述了一种应用于智能传感器的低功耗射频前端电路,包括低噪声放大器和下混频器。智能传感器的无线通信一般基于Zigbee协议,Zigbee接收机一般采用低中频的架构以获得灵敏度和低功耗之间较好的折中。主要研究了从提高晶体管跨导效率和提高电流利用效率两个角度实现低功耗的方法,低噪声放大器采用交叉耦合输入的噪声抵消结构,增强了输入管的等效跨导,因而在较低功耗代价下获得了低噪声系数并实现5On阻抗匹配;下混频器采用基于电流放大器的无源混颁结构,输入跨导级通过电流复用提高了电流利用效率而输出跨

7、阻级引入跨导增强技术减少了中频电流的泄漏,这使得在同等功耗水平下可以获得更高的线性度,即节省了功耗。讨论了电路设计过程并在TSMC0.13txmCMOS射频工艺下进行流片验证,在1.2V电压下整个前端电路消耗5.4mw功耗和0.12IBm芯片面积,仿真结果表明低噪声放大器获得了2.1dB的噪声系数和小于一30rlB的s混频器转换增益为27.7dB;而芯片测试得到的前端噪声系数为5.4dB,IIP3达到5.5dBm,能够满足智能传感器无线通信的需

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。