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时间:2020-03-27
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1、分类弓L『DC密级:公J1:编吁:纳米线围栅MOS器件关键工艺研究RESEARCHONKEYFABRICATIONTECHNlQUESOFGATEALLARoUNDNANOWIREMoSDEVICE学位授一币能殷代码壁查理兰盍生(!Qj8§1学科珈世私称搜代码世电工堂生固佳}垫王堂(Q8Q!业】研究方向尘田塞盛坐监l㈨々学化绒川硕I:指导教师堇璧蕉剧盟究虽答辩委丘!会¨新型值壹:[
2、!f童曼茧纽塾塑盟星研究生逋丛塑沦文起JLIIg'(1t}:20091I.201()12长春理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的硕士学位论
3、文.《纳米线围栅MOS器件关键工艺研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除史中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均L在文中以明确方式标明。本人完全意以到木声明的法律结果由本人承担。n.行铃#:2盘塑盘i盟年上Jj型H长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕h博士学位论文版权使用规定”,同意K春理工人学保留并向中阻种掌信息研究所、中国优秀博颐L学位论文全文数槲库和CNKI系列数据庠及其它困
4、家有关j_f{i¨或机构送交学位
5、仑文的复印件和电于版,允rl:论文被在阅和借阔。本人授权K春理]人学可以将本学位论文的仝部或i:}_f分内容编入有关数捌库进行榆索,也可采f}】影印、缩印或扫揣等复制手段保仃和“编学他论文。作者签名导师档名确韶始墨丝pnF)月坼j加,㈠j{J】.vVrl摘要随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺ir不断按比例缩小,当器件凡寸进入纳米尺d州,会而临着严重的葡沟道效应。田栅s1纳米线器件结构具宵最佳的栅控能力和优良的输运特性.被视为可以1哿MOS器件尺、J缩短到极限尺、r的最理想的器件结构。为了制
6、各sl纳米线,首先我们采用电子柬1’艺、trimmingI岂和恻墙I艺成功制蔷HJ旺100nm尺寸的sifin条,此外,我们还提出了“Ⅲmming+侧墙”】岂进步改善了传统侧墙r艺制祷}
7、{的sinn条的质毓。接着,钊刘如何制备出R寸均匀的光滑的纳水线,进行了研究。我们系统研究了sit细线条定义力,℃、牺牲氧化SUSi纳米线的t拍向刘s皓自米线边缘,宽』g半n糙度(LER/LWR)的影叫。最后.针刈如何制备出圆形的si纳米线,进{rr肼究。我们采用通过牺牲氧化悬空sinn条的方法制备s1纳米线。系统研究了氧化温度、si细线条仞始形状和
8、氧化时间对si纳米线截而形状的影响。关键词:硅纳米线恻墙消减氧化硅电子束光刻线边缘/宽度粗糙度ABSTRACTWiththedevelopmentoflarge-scaledintegratedcircuititisnecessaryforMOSFETtocontinuescalingdovMlAstheIEaturesizeofMOSI‘ETissealingdowntotheendoftheroadmap.severeshortchanneleffectswillhappenGate-all-arotmd(GAA)Sinanowi
9、redevicestructureisregardedasthemostpromisingdeviceslructurethatcanscalethelbaturesizeofMOSFETtotheendofIheroadmap.duetoitsexcellentgatecontrolcapabilityandgreatlyimprovedtransportpropertyTofabricateSinanowireswehavefabricatedsub-100nmSifinsbye-beamlithographyhardmasktr
10、immingandspacertechniquerespectivelywhichlayatbundationfbrthefabricationofSinanowiresMoreover.wehaveproposedtrimming+spacertechniquetofurtherimprovethequalityofspacerdefinedSifinsSubsequently.HowtofabricateuniformandstraightSinanowiresTheimpactoffin—definetechniquesacri
11、ficialoxidationandnanowimchannelorientationonthelineedge/widthroughness(1ER/[WRIcharacteristicshasbeensystemat
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