YbLiYF4激光晶体生长与性能研究.pdf

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1、分类号:Q28uDc:——至韭二£——一密级编号Yb:LiYF。激光晶体生长与性能研究STUDYONTHEGROWTHANDPROPETILESOFYb:LiYF4LASERCRYSTAL学位授予单位及代码:量蚕理工盔芏【!Q18§)学科专业名称及代码:挝整塑堡量丝堂!Q81塑!)研究方向:堂电盐能昌往挝抖申请学位级别:亟I:指导教师:—卫且蕴副熬援研究生:董盐拄沈文起止时问:上业生也=垫地上L长春理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的硕士学位论文,《Yb:LiYR激光晶体生长与性能研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明

2、引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名2丑年—上月—!£n长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”.同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部f1或机构送交学位论文的复印件和电子版.允许论文被查阅和借阈。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也可采用

3、影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名茗丝垄导师簦名:2l圜』留3型L年—L月—踟卫翌L年—乙月—坐R摘要在众多固体激光基质材料中.氟化物激光基质材料具有化学稳定性好、熔点较低、高浓度掺杂依然透明、自发辐射荧光寿命长、折射率受温度影响小等优点。因此,在光学领域中,氟化物激光材料具有十分重要的研究与应用价值。本文采用CZ法,在舡和cn两种不同生长气氛下生长了Yb:LiYF4(Yb:YLF)激光晶体。Y旷掺杂浓度5%.晶体尺寸分别为中25×50mm和025X45mm。最佳工艺参数:拉速lmm/h.转速12r/min,降温速率为25℃m。采用一次退火工艺.降温速

4、率为20℃,h,晶体无开裂现象。通过对比Ar气氛下和CF4气氛下生长Yb:YLF晶体的XRD测试结果,表明CF。气氛下生长的晶体透明度较好,晶体质量较高。通过提高真空度,在CF4气氛下生长Yb:YLF晶体,有效地降低了晶体内部及表层的杂质成分含量,提高丁晶体的纯度。通过晶体结构转变温度分析,解决了Yb:YLF晶体生长中的组分过冷问题。对CFa气氛下生长的Yb:YLF晶体进行了光谱测试:分析该晶体吸收光谱参数,可实现激光跃迁;该晶体的荧光光谱峰位在1019nm处红外最强,接近YbH离子1030hm理论值。关键词:Yb:YLF激光晶体晶体生长CZ法生长气氛ABSTRACTAm

5、ongthemanysolid-statelaserhostmaterialsthefluorideIaserhostmaterialshavemanyadvantagesthatgoodchemicalstability.10wmeltingpoint.goodtransparencyunderhighdopingconcentration.10ngfluorescencelifetimeofspontaneousemissionandsmmlaffectednessforrefractiveindexbytemperatureandsoonThereforethefl

6、uoridelasermaterialsisveryimponantvalueofresearchandapplicationintheopticaldomainInthispaper,Yb:LiYF4(Yb:YLF)lasercrystalsweregrownbyCZmethodinArandCF4twodifferentatmosphereYb"dopingconcentrationis5%andthecrystalsizesare025x50mmand025×45mmrespectivelyOptimumprocessparametersthepullingrate

7、was1nun/h.therotationratewas12rpmandthecoolingrateis25"C/hAdoptinganannealingprocessthecoolingrateis20℃mandnocrystalcrackingphenomenonBycomparingXRDresultsofYb:YLFcrystalsgrowninAratmosphereandCF4atmosphererespectively,itisindicatedthatthecrystalsgrowninCF4atmospher

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