GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征.pdf

《GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、分类号UDC密级：编号GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征GrowthandCharacterizationoflnAs／GaAsQ’uantumDotswithHighDensity学位授予单位及代码：篮壹堡王盍芏IlQl竖2学科专业名称披代码：翅型里王堂fQ8Q地!!研究方向：昱监堂堂墨塑堡当登i主甲请学位绂别：亟±指导教师：奎拄研咒生：韭丝论文起止时间：垫盟』1二蔓盟旦韭—长春理工大学硕士学位论文原创性声本人郑重声明：所呈交的硕士学位论文((GaAs基高密度InAs量子点材料制各与表征》是本人在指导教

2、师李林老师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果-除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名：丞趟兰!L年—L月2生R长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和cNK』系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位沦文的复

3、印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名：趟{i型L年—三月2生日导师签名：趣21且年—：L月!坐日㈨㈣㈣气v㈣^J㈣j．0⋯㈣av㈣^、．⋯洲㈣^‘⋯^、．㈣V．摘要近年来，由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性，越来越被人们关注，所以量子点材料的制各和性质的研究，是当今社会最前沿的科学技术，尤其是III·V族体系的一些材料具有非常广阔的应用前景，需要人们不断去探索。本文是利用

4、MBE生长技术制备高密度GaAs基lnAs量子点材料，首先详细的介绍了MBE的具体设各，分析了对量子点形成的影响因素，利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)等手段研究了生长条件、生长温度、生长速率、沉积厚度以及砷压对量子点的面密度，平均高度，表丽形貌等一些性质的影响，并给出了合理的解释。利用光致发光谱(PL)研究了温度和激发功率的变化对[nAs／GaAs量子点材料发光特性的影响。叉提出，应变层中In的组分对量子点的均匀性及发光波长的影响，并对影响规律给出了理论解释，关键词：lnAs量子点高密度发光特一

5、生应

6、变层ABSTRAC丁Recenllyquantumdotlsconcemedmoreandmore．becauseithasincomparableadvantagecomparedwithbulkmaterialsStudyonthefabricationofquantumdotlsthemostforwardscientifictechnologyandespecially1II—Vgroupmaterialshasvastprospects，whichrequiresustoexplorecontinuous

7、lyInthispaper．weuseMBEgrowthtechiquestofabricatehighdensityInAs／GaAsquantumdotmalerialsItshowstlmtadetailedintroductionaboutMBEdevice．analysisonsomeinfluencingfactorsofquantumdot，theeffectsofgrowthonditions+growthtemperature，growthrate．depositionalthicknessand

8、aspressureOilaverageheight．surfacemorphologyandothersomepropeaiesFurthmore．itgivescorrespondingandapprop打ateexp／anationThispaperalsostudysthatvariationoftemperatureandexcitingpowerhassomee舶nsonphotoluminescencepropeniesof】nAs／GaAsquantumdotThispaperpresentstha

9、teriectoflItcompostionjnstrainedlayeronuniformityandphotoluminescencepropertiesofquantumdotaswellasexplanationaboutInfluencelawK“words：InAsquantumdotHighdensiq'Opticalproperb"Strai