高功率脉冲半导体激光器电源的研究.pdf

《高功率脉冲半导体激光器电源的研究.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、分类号UDC：密级编号高功率脉冲半导体激光器电源的研究ThestudyonthepowersupplyofHighPowerPulseModeLDArrays学位授予单位及代码：篮益理王盍堂I!Q!竖)学科专业名称及代码：出生IQZQ2QI)研咒万同：越盘物理与堑型避光嚣申请学位级别：亟±指导教师：韭里塑教授研宄生：王擅注论文起止时间：垫盟』上二塑业也长春理工大学硕士学位论文原创性声E本人郑重声明：所呈交的硕士学位论文，《高功率脉冲半导体激光器电源的研究》是本人在指导教师的指导下．独立进行研究工作所

2、取得的成果。除文中已经注明引用的内容外．本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名硒≯应L年王月筮日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使禺规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版，允许论文被

3、查阅和借阒。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索．也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名导师签名坦年2艘笙月龇年—王月卫印琊炀摘要本文主要是关于高功率脉冲半导体激光器电源的研宄。随着半导体激光器的输出功率不断提高，输出特性不断改善，它已经渗透到国防、科研、工业加工、医疗等各个领域，并且起着其他激光器不可替代的作用，它已经成为各国研宄的热点。本文主要内容包括：论述了半导体激光器发展现状；根据半导体激光器的工作原理，提出了准连续工作激光电源的

4、技术要求；论证了激光电源的可行性方案：采用IOBT作为功率器件的主回路，极大提高了激光电源的综合性能：采用撬杠保护电路，有效保护了二极管阵列，防止其受到破坏性的影响。采用了PID控制技术，提高了系统的稳定性。指出了电源研制中抗干扰、散热等问题，最后给出了实验结果。关键词：高功率半导体激光器激光电源准连续ABSTRACTTIdspaperfocusesoilthestudyofhighpowereddiodelaserpowersuppliesWiththeincreaseoutputpowerofd

5、iodelasersandtheimprovementofoutputcharacteristics，thesediodelasershavebeenwidelyappliedtonationaldefense，scientificresearch，industrialprocessing，medicaltreatmentandotherfields，andplayarlimportantrolethatcannotbereplacedbyotherlasersThestudyofhighpower

6、eddiodelaserpowersupplieshasalreadybecomeahotspotofstudiesinallcotmtriesThispapermainlydiscussesthecurrentsituationofdiodelasersandputsforwardthespecialrequirementsforthepowersuppliesunderquasi-continuouswork．according10theworkingprincipleofdlodelasers

7、ItalsoprobesintothefeasibilityoflaserpowerprojectsandprovesthatusingIGBTpowerdevicesasthemaincircuitcouldgreatlyimprovetheoverallperformanceofthelaserpower-UsingcrowbarprotectioncircuitcaneffectivelyprotectthediodefromthedevastatingeffectsUsingPIDcontr

8、oltechnologycallimprovethestabilityofthesystemItalsorevealstheanti-jamming，coolingandotherissuesintheresearchofpowersupplyandfinallyputsforwardtheexperimentalresultsKeywords：high·powersemiconductorlaserpowerquasi—successive摘要ABSTRACT第一章