半导体器件物理试题.doc

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1、1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理2.简述晶体管开关的原理3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分布特征及与晶体管输出特性间的关系6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工作状态和输出特性7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征9.试叙述P-N结的形成过程以及

2、P-N结外加电压时其单向导电特征10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与频率间的关系11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作用下的曲线特征及原因13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压时半导体表面特征16.晶体管具备放大能力须具

3、备哪些条件17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输出曲线并描述其特征21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些26.

4、请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线