光刻和蚀刻技术.doc

《光刻和蚀刻技术.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、•光刻和蚀刻技术，用光胶、掩膜、和紫外光进行微制造，由薄膜沉积，光刻和蚀刻三个工序组成。•光刻前首先要在基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的厚度为数埃到几十微米，称为薄膜沉积。然后在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶，将掩膜上微流控芯片设计图案通过曝光成像的原理转移到光胶层的工艺过程称为光刻。•光刻的质量则取决于光抗蚀剂（有正负之分）和光刻掩膜版的质量。掩膜的基本功能是基片受到光束照射（如紫外光）时，在图形区和非图形区产生不同的光吸收和透过能力。•蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wetetching）和干刻（dryetching）等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。

2、选用适当的蚀刻剂，使它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，可以在薄膜或基片上产生所需的微结构。•复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。•微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，曝光，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上呈现所需要的图形，即通道网络。盖板与微流控芯片基片的封接•基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存试剂或安装电极。试剂必须要通过芯片上的小孔才能进入通道网络，所以通过微加工技术所制得的具有不同结构和功能单元的微流控芯片基片，在与盖板封接之前必须在微通道末端打一小孔，组装成微流控成品才能使用。小孔可钻在基片上，也可钻在盖板上。•玻璃芯片的打孔方法包括金刚

3、石打孔法，超声波打孔法，和激光打孔法。打孔后一定要将芯片制作和打孔过程中所残留的小颗粒、有机物和金属物等清除干净，包括化学清洗，提高芯片表面平整度，以保证封接过程顺利进行对玻璃和石英材质刻蚀的微结构一般使用热键合方法，将加工好的基片和相同材质的盖片洗净烘干对齐紧贴后平放在高温炉中，在基片和盖片上下方各放一块抛光过的石墨板，在上面的石墨板上再压一块重0.5kg的不锈钢块，在高温炉中加热键合。•在玻璃、石英与硅片的封接中已广泛采用阳极键合的方法。即在键合过程中，施加电场，使键合温度低于软化点温度。•在500-760伏电场下，升温到500oC时，可使两块玻璃片键合。