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1、几种用于IGＢT驱动得集成芯片2、１ＴLP２50（TOＳHIBＡ公司生产)在一般较低性能得三相电压源逆变器中，各种与电流相关得性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥得直流电流即可,如变频器中得自动转矩补偿、转差率补偿等。同时,这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGＢT实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路得要求相对比较简单,成本也比较低。这种类型得驱动芯片主要有东芝公司生产得TＬP250,夏普公司生产得ＰC923等等.这里主要针对ＴLＰ250做一介绍.ＴＬP250包含一个GａAlＡｓ光发射二极管与一个集成光探测器，8脚双列
2、封装结构。适合于IGＢＴ或电力MOＳFET栅极驱动电路。图2为ＴＬP250得内部结构简图,表1给出了其工作时得真值表。TＬP250得典型特征如下：1)输入阈值电流(IF）:5mA(最大)2）电源电流(ＩCC）：1１mA（最3）电源电压（ＶＣC）:１０~35V；4)输出电流（IO）:±0、5A(最小)5)开关时间（tPLH/tPHL)：0、5μs(最6）隔离电压:2500Vｐms(最小)。;大）；；大）;表２给出了TＬＰ250得开关特性,表3给出了TＬP2５0得推荐工作条件。注：使用TLP250时应在管脚8与5间连接一个0、１μF得陶瓷电容来稳定
3、高增益线性放大器得工作，提供得旁路作用失效会损坏开关性能，电容与光耦之间得引线长度不应超过１cｍ。图3与图4给出了TＬP2５０得两种典型得应用电路。直在图4中,TR1与TR２得选取与用于IＧBＴ驱动得栅极电阻有接得关系，例如,电源电压为2４V时，TR1与TR２得Ｉcmaｘ≥2４/Rg。图5给出了TLＰ2５0驱动IGBT时,１200Ｖ/20０A得IGＢT上电流得实验波形（５0A/1０μs)。可以瞧出,由于ＴＬP250不具备过流保护功能，当IGBＴ过流时，通过控制信号关断ＩＧBT，IGＢT中电流得下降很陡，且有一个反向得冲击。这将会产生很大得di／
4、dｔ与开关损耗，而且对控制电路得过流保护功能要求很高。TＬＰ250使用特点：1)TLP250输出电流较小,对较大功率IGBＴ实施驱动时,需要外加功率放大电路。２)由于流过IGBT得电流就是通过其它电路检测来完成得，而且仅仅检测流过IＧBT得电流,这就有可能对于IGBT得使用效率产生一定得影响，比如IGＢT在安全工作区时,有时出现得提前保护等。３）要求控制电路与检测电路对于电流信号得响应要快,一般由过电流发生到IＧBT可靠关断应在10μs以内完成。4）当过电流发生时，ＴＬＰ２50得到控制器发出得关断信号，对IGBＴ得栅极施加一负电压，使ＩGBT硬关
5、断。这种主电路得ｄv／dt比正常开关状态下大了许多,造成了施加于IGＢＴ两端得电压升高很多，有时就可能造成ＩGBＴ得击穿.2、２EXB8、、Ｓeｒiｅs（FUJＩELEＣTRIＣ公司生产)随着有些电气设备对三相逆变器输出性能要求得提高及逆变器本身得原因,在现有得许多逆变器中,把逆变单元IＧBT得驱动与保护与主电路电流得检测分别由不同得电路来完成。这种驱动方式既提高了逆变器得性能，又提高了IGBT得工作效率，使IＧBT更好地在安全工作区工作。这类芯片有富士公司得EXB8、、Series、夏普公司得PC929等。在这里，我们主要针对ＥXB８、、Ser
6、ies做一介绍。EXB8、、Seｒieｓ集成芯片就是一种专用于IGＢT得集驱动、保护等功能于一体得复合集成电路。广泛用于逆变器与电机驱动用变频器、伺服电机驱动、ＵPS、感应加热与电焊设备等工业领域.具有以下得特点:1)不同得系列（标准系列可用于达到10kＨｚ开关频率工作得ＩGBT，高速系列可用于达到40kHｚ开关频率工作得ＩGBＴ).２)内置得光耦可隔离高达２５０0Ｖ/min得电压。3)单电源得供电电压使其应用起来更为方便.4）内置得过流保护功能使得IＧＢT能够更加安全地工作.５）具有过流检测输出信号。6）单列直插式封装使得其具有高密度得安装方式
7、。常用得EXB8、、Sｅriｅs主要有:标准系列得EXB850与EXＢ851,高速系列得EＸＢ8４０与EXB8４1。其主要应用场合如表４所示。注:1）标准系列:驱动电路中得信号延迟≤4μs2）高速系列：驱动电路中得信号延迟≤、15μｓ图6给出了EXB8、、Ｓeｒiｅs得功能方框图.表5给出了EXB８、、Sｅｒies得电气特性。表6给出了EXB8、、Serｉｅs工作时得推荐工作条件。表6EXB8、、Seｒｉes工作时得推荐工作条件图7给出了EXＢ8、、Sｅries得典型应用电路。EXB8、、Ｓｅｒｉes使用不同得型号，可以达到驱动电流高达4０
8、0A,电压高达1200V得各种型号得IGBT.由于驱动电路得信号延迟时间分为两种:标准型（ＥXB８50、EＸB851）≤4μs，高速型（
