欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:57567991
大小:952.86 KB
页数:28页
时间:2020-08-27
《IGBT模块的参数及特性曲线的解读.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、IGBT模块的参数及特性曲线解读EricYang2015.05.26COMPANYCONFIDENTIAL主要内容IGBT主要参数二极管主要参数©2015PowerIntegrations
2、www.power.com2COMPANYCONFIDENTIALIGBT主要参数本部分内容描述IGBT模块内部的IGBT芯片的主要电气性能。©2015PowerIntegrations
3、www.power.com3COMPANYCONFIDENTIALV(集电极—发射极间电压)CESV的含义是在给定的IGBT结温条件下(一般为25℃),C、E间允许施CES加的最高电压,包括电压尖峰;也就是我
4、们平常说的IGBT的耐压值。V是正温度特性,即当IGBT结温低于25℃时,V的值会降低。CESCES在两电平应用中,我们在选型驱动器的时候,可以参考IGBT的V来选择,CES一般选取工作电压与V一致的驱动器;比如封装为EconoDUAL3的IGBTCES模块,如果是1200V耐压,我们选择2SP0115T2A0-12;而如果是1700V耐压,则选择2SP0115T2A0-17。©2015PowerIntegrations
5、www.power.com4COMPANYCONFIDENTIALP(总功耗)totP描述的是在给定的IGBT壳温和结温条件下,受自身的结—壳热阻RtotthJ
6、C的影响,可连续消耗于IGBT的功耗的最大值。P也可以通过公式计算:P=△T/R=(T-T)/RtottotthJCvjCthJC上表中FF600R12ME4这款IGBT为例,它的结—壳热阻R=0.037K/W,则thJCP=(T-T)/R=(175-25)/0.037=4054W;totvjCthJC同样的,续流二极管的总功耗也可以这样计算。©2015PowerIntegrations
7、www.power.com5COMPANYCONFIDENTIALI(集电极电流)CI的含义是,在给定的IGBT壳温和结温条件下,在IGBT最大功耗P所允Ctot许的限度内,可连续流向集电极的直
8、流电流的最大值。我们平常说的多少安培电流的IGBT,指的是集电极的额定电流,即下表中的I。Cnom注意:在定义I的值时,要明确所规定的壳温和结温条件;不同厂家Cnom或同一厂家不同型号的IGBT,在定义I的值时,所规定的壳温和结温Cnom不尽相同;并且,单纯的说I的值是多少,而不说明具体的结壳温度Cnom值,从技术的角度上说,是没有参考价值的。©2015PowerIntegrations
9、www.power.com6COMPANYCONFIDENTIALI(集电极最大可重复峰值电流)CRMI的含义是,在一个较短的时间内,I是允许被超过的,即集电极CRMCnom允许流过大小为N*I
10、的电流(N≥1),而且这种状态时可以重复。CnomIGBT的datasheet中定义的是在1ms的脉冲时间内I的值,这个值一般为CRM2*I。CnomIGBT反偏安全工作区(RBSOA)的电流值的边界就是2*I,即I。CnomCRM那么在正常工作状态,若集电极电流超过I,则IGBT是不安全的,即CRM超出了安全工作区。©2015PowerIntegrations
11、www.power.com7COMPANYCONFIDENTIALQ(门极电荷)GIGBT的门极被开通时,门极电压从负压(-15或-10V)上升到正压(+15V),驱动器需要向门极注入数值为Q的电荷量;关断时亦然。GDa
12、tasheet通常会给出一个电压摆幅范围内的Q,如-15V到+15V。GQ用来计算门极的驱动功率,从而选择合适功率的驱动器;G根据此公式:P=Q*(V-V)*fGdrGGE(on)GE(off)swV为开通正压,V为关断负压,f为开关频率。GE(on)GE(off)swPI驱动器的门极电压摆幅一般是23V(-8~+15V)或25V(-10~+15V),那么相对于-15~+15V电压范围的Q,还可以做一个折算,可以乘以0.75或G0.9的系数;如果不折算,计算结果的裕量会更大。©2015PowerIntegrations
13、www.power.com8COMPANYCONFIDENT
14、IALR(内部门极电阻)Gint大部分IGBT模块封装的时候,在模块内部芯片的门极上增加了额外的门极电阻R,我们称为内部门极电阻;Gint大电流的IGBT模块内部会并联一些芯片,每颗芯片都会有单独的门极电阻,R是所有门极电阻并联以后的最终值;这些门极电阻可以提高模Gint块内部的芯片的均流性能;驱动回路的总门极电阻R是外部的电阻R和内部电阻R之和;GtotGextGint门极的峰值驱动电流可由此式计算:I=(V-V)/R实际应Gdr,peakGE(on)GE(off)Gtot。用
此文档下载收益归作者所有