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时间:2020-08-27
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1、精品文档开关电源EMI产生机理及整改经验总结整理:柏自飞共模(CM)干扰变换器工作在高频情况时,由于dv/dt很高,激发变压器线圈间、以及开关管与散热片间的寄生电容,从而产生了共模干扰。如图1所示,共模干扰电流从具有高dv/dt的开关管出发流经接地散热片和地线,再由高频LISN网络(由两个50Ω电阻等效)流回输入线路。图1典型开关变换器中共模、差模干扰的传播路径根据共模干扰产生的原理,实际应用时常采用以下几种抑制方法:1)优化电路器件布置,尽量减少寄生、耦合电容。2)延缓开关的开通、关断时间。但是这与开关电源高频化的趋势不符。3)应用缓冲电路,减缓
2、dv/dt的变化率。差模(DM)干扰开关变换器中的电流在高频情况下作开关变化,从而在输入、输出的滤波电容上产生很高的di/dt,即在滤波电容的等效电感或阻抗上感应了干扰电压。这1欢迎下载。精品文档时就会产生差模干扰。故选用高质量的滤波电容(等效电感或阻抗很低)可以降低差模干扰。辐射干扰的产生和传播辐射干扰又可分为近场干扰〔测量点与场源距离<λ/6(λ为干扰电磁波波长)〕和远场干扰(测量点与场源距离>λ/6)。由麦克斯韦电磁场理论可知,导体中变化的电流会在其周围空间中产生变化的磁场,而变化的磁场又产生变化的电场,两者都遵循麦克斯韦方程式。而这一变化电
3、流的幅值和频率决定了产生的电磁场的大小以及其作用范围。在辐射研究中天线是电磁辐射源,在开关电源电路中,主电路中的元器件、连线等都可认为是天线,可以应用电偶极子和磁偶极子理论来分析。分析时,二极管、开关管、电容等可看成电偶极子;电感线圈可以认为是磁偶极子;一.1MHZ以内,以差模干扰为主。(整改建议)1.增大X电容量;2.添加差模电感;3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。二.1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,(整改建议)1.对于差模干扰超
4、标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。三.5M以上,以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法(整改建议)2欢迎下载。精品文档1.对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。四.20-30MHZ,(整改建议)1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容
5、位置;2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。4.改变PCBLAYOUT;5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。9.可以用增大MOS驱动电阻.五.30-50MHZ,普遍是MOS管高速开通关断引起。(整改建议)1.可以用增大MOS驱动电阻;2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4.或者输出线
6、前端串接一个双线并绕的小共模电感;5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。六.50-100MHZ,普遍是输出整流管反向恢复电流引起。3欢迎下载。精品文档1.可以在整流管上串磁珠;2.调整输出整流管的吸收电路参数;3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;4.也可改变MOS
7、FET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点);5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。200MHZ以上,开关电源已基本辐射量很小,一般均可过EMI标准。辐射超标要先判定以下信息,通常整改的流程:1.辐射超标的极化方向:是垂直还是水平?2.初步判定辐射器是什么?如果是电源适配器,你可以把输出线全部放到测试桌上,这时AC输入线是垂直的,输出线是水平的。可以初步判定辐射骚扰来自输入线还是输出线,当然还有一个因素可能是电源本身发出的这要另外再分析。3.判定骚扰信号的特性:共模还是差模?如果辐射骚扰水平和垂直
8、都存在的话,那这个骚扰的特性是共模的;如果是骚扰超标仅仅存在于水平或是垂直,那就是差模的。4.按照骚扰信号的特性,辐射器的
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