MOS管型号知识培训说课材料.ppt

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1、MOS管型号知识培训一、型号命名规则二、基础知识三、主要参数四、其它表贴MOS管五、高压MOS与酷MOS型号命名规则1、突出桂微品牌2、力争与知名品牌兼容3、自主型号规律4、极性规律5、印字规律具体规则（续）如果不满足单双数规律时在GM后或型号最后增加代表极性的P或N型号最后的字母除代表极性外A/B/C/D还代表电流或电阻的细分档，E代表防静电保护印字中的A/B/C/D/E/I等分别代表击穿电压等级为20V/30V/40V/50V/60V/100V等印字后数字基本与型号后1到2位数字对应桂微自主型号印字直接用型号上的全部数字基础知识1、MOS概念2、极性知识3

2、、工作状态4、带ESD静电保护区别MOS概念MOS——MetalOxidSemiconductor金属氧化物半导体FET——FieldEffectTransistor场效应晶体管Gate栅极——基极BDrain漏极——集电极CSource源极——发射极E极性知识P沟道——加负电源，负开启电压N沟道——加正电源，正开启电压体二极管（寄生）——续流二极管单一极性载流子参与导电——单极型晶体管（三极管，二极管——双极型晶体管）无复合效应——开关速度快电荷密试低（LowQg）——开关功耗低极性知识（图）工作状态垂直导电（VDMOS）元胞结构——并联导电栅极沟槽（Tre

3、nchMOS）——缩小元胞间距，减小芯片面积MOS管不工作时，由外延层承担击穿电压（体二极管反压）MOS管工作时存在导通电阻RDS（ON）=RCH+REPI+RSUB工作状态（图）ESD保护栅源静电吸收电路（一级或多级）IGSS会增大（@VGS100nA__10uA)VTH略低相同芯片面积时RDS略大相同RDS（ID）成本略高ESD保护（图）主要参数1、BVDSS击穿电压MOS管不工作（导通）时漏源之间所能承受的最高电压2、VGS（TH）开启电压为了使MOS管开始工作（导通）栅源之间要加的最小电压3、RDS（ON）导通电阻在不同栅极电压下，MOS管导通时漏源之

4、间的电阻——饱和压降其它表贴MOS管所有型号以GM开头SOT-26，TSSOP8，SOP-8，DFN8等型号用最多4位数字区分具体极性和参数借用其他公司数字代码第3个字母W代表TO-252封装接下来的1到2位数字代表电流接下来的字母P或N代表极性最后的数字乘10表示击穿电压高压MOS与酷MOS所有型号以GM开头第3个字母P代表TO-220封装，F代表TO-220F封装，D代表TO-251封装，T代表TO-92封装接下来的1到2位数字代表电流接下来的字母P或N代表极性最后的数字或直接或乘10表示击穿电压酷MOS第4和5位数字乘10表示击穿电压，接下来的R和数字表

5、示导通电阻技术支持QQ:280322039