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1、NaCl型晶体结构的两种描述NaCl.gjfCl-Na+化学组成比n+/n-=1:1以NaCl型晶体为例，对离子堆积描述的术语给出图解A:8×1/8+6×1/2=4B:1+12×1/4=4n+/n-=1:1结构型式：NaCl型负离子呈立方面心堆积，相当于金属单质的A1型。负离子堆积方式:立方面心堆积CN+=6CN-=6正负离子配位数之比CN+/CN-=6:6正八面体空隙（CN+=6）正离子所占空隙种类:正八面体浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正四面体空隙，但正离子并不去占据:仔细观察一下：是否有被占据的
2、正四面体空隙？没有！正离子所占空隙分数浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正八面体空隙，全部被正离子占据。所以，正离子所占空隙分数为1（尽管还有两倍的正四面体空隙未被占据，但正离子所占空隙分数不是1/3）。仔细观察一下：是否还有未被占据的正八面体空隙？没有！NaCl晶体的结构基元由1个NaCl组成，从中可抽出立方 面心点阵。在NaCl晶胞(Na+和Cl-可互相替换)中，含有4个NaCl，即4个结构基元。从点阵结构也可看出，一个正当单位含 有4个点阵点。分数坐标描述A:000B:1/21/21/2正离子所占空
3、隙分数1结构型式化学组成比n+/n-负离子堆积方式正负离子配位数比CN+/CN-正离子所占空隙种类CsCl型1:1简单立方堆积8:8立方体离子堆积描述CsCl型晶体结构的两种描述CsCl.gjfCsCl晶体的结构基元由1个CsCl组成，从中可抽出简单立方的点阵。（注意：不要误认为是体心立方）CsCl晶胞中含有1个CsCl，即1个结构基元。ZnS型晶体结构在0.225r+/r-<0.414时，四配位的化合物MX可能具有ZnS型晶体结构，其中又包括立方和六方ZnS型。通常硫化物倾向于立方，氧化物倾向于六方。这是非常重要的两种晶
4、体结构，已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外，许多半导体晶体都是ZnS型，且以立方ZnS型为主。例如：GaP,GaAs,GaSbInP,InAs,InSbCdS,CdTeHgTe分数坐标描述A：00001/21/21/201/21/21/20B:1/41/43/41/43/41/43/41/41/43/43/43/4结构型式化学组成比n+/n-负离子堆积方式正负离子配位数比CN+/CN-正离子所占空隙种类正离子所占空隙分数立方ZnS型1:1立方最密堆积4:4正四面体1/2离子堆积描述立方ZnS型（闪锌矿）晶体结
5、构的两种描述ZnS-LiFang.gjf立方ZnS晶体的结构基元由1个ZnS组成，从中可抽出立方面心点阵。正负离子的结合方式与金刚石中C原子类似。晶胞中含有4个ZnS，即4个结构基元。分数坐标描述A：0002/31/31/2B:005/82/31/31/8结构型式化学组成比n+/n-负离子堆积方式正负离子配位数比CN+/CN-正离子所占空隙种类正离子所占空隙分数六方ZnS型1:1六方最密堆积4:4正四面体1/2离子堆积描述六方ZnS型晶体结构的两种描述ZnS-liufang.gjf六方ZnS结构基元由2个ZnS组成，从中可抽
6、出简单六 方的点阵。晶胞中含有2个ZnS，即1个结构基元。结构型式化学组成比n+/n-负离子堆积方式正负离子配位数比CN+/CN-正离子所占空隙种类正离子所占空隙分数CaF2型1:2简单立方堆积8:4立方体1/2离子堆积描述分数坐标描述Ca2+(或F-)：(0,0,0);(0,1/2,1/2);(1/2,0,1/2);(1/2,1/2,0)F-(或Ca2+)：(1/4,1/4,1/4)；(3/4,1/4,1/4)；(1/4,3/4,1/4)；(1/4,1/4,3/4)；(1/4,3/4,3/4)；(3/4,1/4,3/4)；
7、(3/4,3/4,1/4)；(3/4,3/4,3/4)CaF2（萤石）型晶体结构的两种描述CaF2.gjf结构基元由1个CaF2组成。从中可抽出立方面心点阵。晶胞中含有4个CaF2，即4个结构基元。+-反荧石型结构与荧石型（CaF2型）相似，只是正负离子的位置刚好相反：负离子形成扩张的立方面心堆积，正离子占据其中全部四面体空隙。K2O就是这种结构。金 红 石 型晶体结构的两种描述Ti4+(或O2-)：(0,0,0);(1/2,1/2,1/2)O2-(或Ti4+)：(0.31,0.31,0);(0.69,0.69,0);(0.
8、81,0.19,0.5);(0.19,0.81,0.5)分数坐标描述TiO2.gjf结构基元由2个TiO2组成，从中可抽出简单四方的点阵。晶胞中含有2个TiO2，即1个结构基元。二元离子晶体的六种典型结构型式
