电子 技术点对点应答.docx

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1、（3）电容补偿柜1)电容器及电抗器整体要求电容补偿柜所选滤波电容器、补偿控制器、调谐滤波电抗器等应选用同一厂家生产的同一品牌。低压电容补偿柜采用自动分步补偿电容的方式，补偿无功同时，须能抑制5次以上谐波。其柜体结构与低压开关柜结构相同，柜上设自动补偿装置，与低压开关柜并排安装时，柜体尺寸、颜色应与低压柜一致。低压电容补偿柜具备后续根据负载特性进行调整的功能。应设置过电压保护装置。应答：满足。本投标人选用美国普世通Pushon的滤波电器器、补偿控制器、调谐滤波电抗器产品。Pushon产品在通信行业有广泛

2、的运用。为了确保无功补偿设备的可靠性，电容器、补偿控制器、电抗器均采用普世通的产品。无功补偿柜采用自动分布补偿的方案，补偿无功的同时，可以抑制5次以上谐波。柜体结构与开关柜结构相同。2)电容器技术要求额定电压：480V（滤五次谐波）。型式：自愈性干式设计，三相同轴绕组，内置保护装置。连续过压（每日8小时）：1.1×Un；最大允许工作电流：1.8×In（连续使用）；最大允许涌流：100×In适用环境温度：上限+55℃，下限-40℃绝缘耐压：端子对地3kV/10s。损耗：介质损耗小于0.2W/kvar，总

3、损耗小于0.5W/kvar（须提供国家权威检测机构试验报告）。放电特性：电容器须内装电子式放电电阻，电容器运行时放电电阻切离，电容器切离时投入，在电源切离后1分钟内端子间的残余电压降至50V以下。电容器须为干式，采用聚丙烯膜作电介质，具有自愈性能，电容器被永久击穿时仅故障元件退出运行，其他元件仍可正常运行，每个电容器组件配备各自的内置熔丝保护（具有过电流、过压力、过温度保护功能）。电容器外壳厚度采用不小于1mm的铝质板材；电容器内部应有填充保护性气体，具有防火、防爆功能；电容器耗损低、重量轻，符合相关

4、国家及国际标准。应答：满足，并优于。采用美国普世通的PSTN产品，为自愈式干式电容器，三相同轴绕组，内置保护装置，采用单层聚丙烯膜为介质，表面争渡了一层薄金属作为导电电极，采用无感卷绕法形成元件。过电压计过嗲刘双重电气保护。局部自愈合性能，不生锈外壳及真正的可触摸接线端子。其电压范围为AC100~1000V过电压1.1xUn8H/D，1.15xUn30min/D过电流：1.3-2.5In介质损耗≤0.1W/Kvar；（高于标书要求）最大允许涌流：200×In。（高于标书要求）绝缘耐压：端子对地6kV/

5、10s。（高于标书要求）安全系统：过电压（过电流）双重拉断保护。内部介质：特殊保护气体或Risin，优质金属化膜。放电特性：附带放电模块（1min<=50V）防护等级IP42，室内装配。3)电抗器技术要求结构：三相铁心式电抗器，电气特性符合IEC76标准。电抗值：专用电抗器的电抗值为电容器容抗值的7%。线性范围：≥0.95Ln；调整精度：-2%-+3%短路容量：可承受25倍之额定电流(Ith)。绝缘水平：Un≤1100V时，为3kV绝缘等级：F级。电抗器应附有铭牌，标有制造厂名、额定电压、频率、谐波耐

6、流等数据，附试验报告。若为进口产品，需附进口证明及原厂试验报告。应答：满足，并优于。采用美国普世通的PSTNr系列产品。其为三项绕芯式干式产品，铁芯采用优质低损耗冷轧硅钢片。线圈采用H级漆包扁铜线。电抗器芯柱部分采用无磁性材料，确保电抗器具有较高的品质因数和较低的温升，确保具有较好的滤波效果。冷压接工艺，电抗器与线圈的引出端，电抗器与线圈的引出端，采用冷压接工艺连接，减少局部放电。电抗器采用高精度自动设备加工硅钢片，尺寸偏差小于0.05mm，硅钢片在叠装时能保证高度的一致性。根据标书要求，该项目选用的

7、电抗器具有7%的电抗率。绝缘等级：H级。（高于标书要求）电压试验：线圈之间3KV温升：铁芯95K,线圈85K过电流：1.35In工作电压：100-1000V线性度：>=0.95Ln电抗率偏差：-2%~3%。电抗器附有铭牌，标有制造厂名、额定电压、频率、谐波耐流等数据，详见附试验报告。该产品为进口产品，详见进口报关单。4)自动功率因素控制器技术要求额定电源：电压440V50Hz、电流5A。控制方式：必须具备手动或自动设定所有控制参数功能。具有内部温度传感器，具有报警接点及报警记录功能，具有独立的风扇继电

8、器接点。抗干扰、电磁辐射、电气安全和低压指示应符合相关IEC标准和国家标准。运行温度：10～55℃；存放温度：-20～60℃。连接方式：相对相或相对中性线，不受CT极性影响，不受相序影响。自动功率因数控制器须具备下列功能：断电时电容器自动切离；复电延迟投入；断电后自贮存设定数；未达最小功率因数设定值，警示灯及警报输出动作；电源相序与比流器相位自动调整。报警功能必须具备：过补偿、欠补偿、投切频繁、欠电压、过电压、功率因素错误、过温度、电容器过电流、电容器输