详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤.docx

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1、详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的出生它的组成均研究的透彻底底的。 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而

2、NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。 场效应管工作原理 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管

3、和功率晶体管的强大竞争者。 闪存采用MOSFET来存放数据 MOSFET结构如下图 数据就存放在floaTInggate(悬浮门)之中，一个门可以存放1bit数据 如图所示，门中电压有个阈值Vth 如果检测到电压超过Vth，那么便认为这个bit是0 数据的写入和擦除，都通过controlgate来完成。 至于具体的步骤。 涉及到半导体基础知识，如果需要了解，请参考模拟电路相关书籍。 这是一个比特，对于闪存来说，如图 这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个page，一个page由33792个刚才那样的门组成。 共4KByte，注意这里单位是千字节1Byte=8bi

4、t这里总共有64个page，组成了一个block。 wordline是字线，由其控制读取和写入，所以page是最小的读写单位而这个block是最小的擦除单位。 我们知道闪存颗粒分为SLCMLCTLC这就是因为对电压的分级不同。 SLC将电压分为2级，大于Vth表示0小于Vth表示1，一个CELL只表示1个bitMLC是MulTI-LevelCell，将电压分为4份，分别可以表示00011011，一个CELL表示2个bitTLC是Triple-LevelCell，将电压分为8份，可以表示000001010011100101110111一个CELL表示3个bit。 tip

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