模电复习试题及答案

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1、《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，C。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由C构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定6、稳

2、压管的稳压区是其工作在C。28A.正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。A.83B.91C.100D.1010、晶体管是A器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压

3、D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D；图2为A。[基极电位总是处于中间]28①3V②9V③2.3V图2①6V②0V③5.7V图1A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管12、场效应管是D器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号

4、源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是B。A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量28C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°16、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是B失真。A.饱和B.截止C.双向D.相位17、分压式偏置工作点稳定电路，

5、当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是A。A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA18、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。28A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小19、要求组成的多级放大电路体积最小，应选B耦合方式。A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器20、放大电路的三种组

6、态（C）。A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用C.都有功率放大作用D.都不是21、一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（C）。A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB二.填空1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。2、PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是：将P区接高28电位，N区接低电位。4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。5、PN结反偏时，内电场与外电

7、场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。6、P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题7、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。8、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于19、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级-15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100

8、dB，总的放大倍数为10。2810、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。11、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。三.判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（√）2、PN结正向电流的大小由温度决定的。（×）3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（×