湘潭大学2009单片机原理与应用试卷.doc

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1、制卷人签名：制卷日期：审核人签名：：审核日期：………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………装……………………订……………………线…………………………………………………………………湘潭大学2009年下学期2007级《单片机原理及应用》课程考试试卷（A卷）适用年级专业电子信息工程、建筑设施智能技术考试方式（闭卷）考试时间120分钟学院专业班级学号姓名题号一二三四五六七八总分阅卷教师

2、得分………………………………………………………………………………………………………………得分一、（每空1.5分，共15分）1．MCS-51单片机片复位后，（SP）=_07H__，(PC)=_0000H____。2．MCS-51单片机共有_8__种寻址方式，其中，寄存器间接寻址指令如_MOV__A,@R1_____。3．定时器T0的中断服务程序的入口地址是__000BH____，外部中断的中断服务程序的入口地址为__0013H___。4．MCS-51单片机可读写的内部RAM区位单元地址是_00H—7FH__，内部

3、RAM区相对应位地址单元的字节单元地址是__20H—2FH________。5．MCS-51单片机一个机器周期等于__12__个时钟周期。6．MCS-51单片机采用12MHz晶振，执行完一条单周期指令的执行时间是_1us___。得分二、选择填空(每空1.5分，共15分)1、对于MCS-8051单片机来说，如果程序存储区用内部ROM空间，EA引脚总是（B）。A、接地B、接高电平C、接低电平D、悬空2、数据指针DPTR用来（C）。A、存放下一条指令的地址B、存放正在执行的指令地址C、存放访问外部数据存储器地址D、存

4、放上一条的指令地址3、MCS-51单片机堆栈数据区数据存取的原则是（C）。A、先进先出B、与CPU状态有关C、先进后出D、与程序设计有关4、单片机上电后或复位后，特殊功能寄存器PSW的状态是（A）。A、00HB、07HC、0FFHD、0AAH5、一个RAM芯片的地址有A0----A13引脚，它的数据存储容量为（C）。A、4KBB、8KBC、16KBD、32KB6、8031单片机中既可位寻址又可字节寻址的内部RAM单元是（C）。A、0FFHB、30HC、28HD、7FH7、8051单片机中片内RAM共有（B）字节

5、。A、128B、256C、4KD、64K8、执行指令MOVX﹫DPTR，A时，WR、RD脚的电平为（D）。A、WR高电平，RD低电平B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD高电平D、WR低电平，RD低电平9、INTEL8051的P2口，当使用外部存储器时它是一个（A）。A、传输高8位地址口B、传输低8位地址口C、传输8位数据口D、传输低8位地址/数据总线口10、单片机晶振为11.0592MHz，串口通信时，定时器1用做波特率发生器，工作在方式2，要求设置波特率为2400bit/s，SMOD=1，定时器1初

6、值应为（A）。A、E0HB、E8HC、F0HD、D8H得分三、读程序题（本大题共4小题，每小题5分，共20分）1．写出下列指令的源操作数寻址方式及指令功能。MOVR0,#080H寄存器寻址；（R0）=80HMOVA,@R0寄存器寻址；A=（（R0））DECA寄存器寻址；A=(A)-1PUSH10H直接寻址；SP=SP+1SP=（10H）2．设(21H)=71H,(22H)=11H,CY=1,说明下列各条指令执行后的结果。CLRCCY=0CLR08H(08H)=0CPL17H将17H单元中的内容取反SETB0FH

7、（0FH）=13．已知（SP）=30H，执行下列指令后，内部RAM（31H）=__23H____，（32H）=__46H____，（SP）=_32H___，（DPTR）=_2347H__。MOVDPTR,#2346HPUSHDPHSP=30H+1=31H(31H)=DPH=23HPUSHDPLSP=31H+1=32H(32H)=DPL=46HINCDPTRDPTR=2346H+1=2347H4．下列指令执行后，P1口的输出值为多少。P1=53HMOVP1,0AAH(P1)=(0AAH)ANLP1，#31HXRL

8、P1，#73HINC80H得分四、程序设计题（30分每题10分）1、设有十个二进制码存于单片机8051内部RAM区首地址为BLOCK的存储区，试编写程序，将该数据区数据按从小到大排序，并送到外部存储单元以BLOCK1为首地址的存储区中。2．设有二个字节BCD码存于单片机8051内部RAM区首地址为BLOCK的存储区，试编写程序，将该数据区二进制码数据转换成ASCII码送到外部存储单元以