带隙基准电压源设计解析.doc

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1、0引言基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。传统带隙基准由于仅对晶体管基一射极电压进行一阶的温度补偿，忽略了曲率系数的影响，产生的基准电压和温度仍然有较大的相干性，所以输出电压温度特性一般在20ppm／℃以上，无法满足高精度的需要。基于以上的要求，在此设计一种适合高精度应用场合的基准电压源。在传统带隙基准的基础上利用工作在亚

2、阈值区MOS管电流的指数特性，提出一种新型二阶曲率补偿方法。同时，为了尽可能减少电源电压波动对基准电压的影响，在设计中除了对带隙电路的镜相电流源采用cascode结构外还增加了高增益反馈回路。在此，对电路原理进行了详细的阐述，并针对版图设计中应该的注意问题进行了说明，最后给出了后仿真结果。l电路设计1．1传统带隙基准分析通常带隙基准电压是通过PTAT电压和CTAT电压相加来获得的。由于双极型晶体管的基一射极电压Vbe呈负温度系数，而偏置在相同电流下不同面积的双极型晶体管的基一射极电压之差呈正温度系数，在两者温度系数相同的情况下将二者相加就得到一个与温度无

3、关的基准电压。传统带隙电路结构如图1所示，其中Q2的发射极面积为Q1和Q3的m倍，流过Q1～Q3的电流相等，运算放大器工作在反馈状态，以A，B两点为输入，驱动Q1和Q2的电流源，使A，B两点稳定在近似相等的电压上。假设流过Q1的电流为J，有：由于式(5)中的第一项具有负温度系数，第二项具有正温度系数，通过调整m值使两项具有大小相同而方向相反的温度系数，从而得到一个与温度无关的电压。理想情况下，输出电压与电源无关。然而，标准工艺下晶体管基一射极电压Vbe随温度的变化并非是纯线性的，而且由于器件的非理想性，输出电压也会受到电源电压波动的影响。其中，曲线随温度

4、的变化主要取决于Vbe自身特性、集电极电流和电路中运放的失调电压，Vbe自身特性对曲率的影响最为严重，所以要获得高性能的带隙基准电压，就必须对曲线的曲率进行校正。在本设计中，针对Vbe的高阶温度特性进行了补偿，并通过引用共源共栅和反馈电路来优化带隙电路的电源电压抑制特性。1．2高性能带隙基准电路该设计的完整电路如图2所示，M6～M16电容C和电阻R4构成运算放大器；M1～M5为放大器提供所需要的偏置电流；基本带隙部分由M13～M18，Q1～Q3以及R1和R2组成；M19，M20，R3构成二次曲率补偿电路，M21～M28构成反馈放大反馈电路抑制电源波动，M

5、29～M31完成电路的启动功能；最后由pwr实现电路的开关状态。由文献[2]可知，二次曲率的校正可以通过不同温度系数的电阻来实现，即：由于R1和R3具有不同的温度系数，对二者比值用泰勒公式展开，有：式中：K1为R1的温度系数，为正值；K3为R3的温度系数，为负值。二者的温度系数正负差异越大，曲率补偿的效果就越好。当MOS管的栅一源电压接近于开启电压时，该MOS管就工作在亚阈值区。此时，流过管子的电流与栅一源电压呈指数关系，其电流公式如下：式中：n为亚阈值斜率因子(1

6、的电流相等，则有：由式(4)、式(6)～式(8)整理得：由于m1/n>1，所以R3和R2的温度系数差异得到了指数关系的放大，从而对Vbe3的二阶温度系数有了更好的补偿效果，而且该特性只需要1个N型MOS管实现，相对于文献[3]来说，节省了电阻的占用面积，很适合在工程上使用。1．3提高电源抑制电路与启动电路分析原则上来说，传统的带隙电路本身具有较好的电源抑制特性，其输出电压几乎与电源电压无关，但是目前工程上使用的MOS管大部分为亚微米器件，因而不可避免地产生二级效应(主要是沟道长度调制效应和体效应)，对流过MOS管的电流I产生影响。所以要得到一个精准的基准

7、电压，必须引入额外电路，提高电路的电源电压抑制能力。在该设计中，除了采用cascode结构外，额外增加了M21～M28来实现对电源波动的抑制，如图2所示。带隙的核心电路电压由V1提供，当电源电压VDD升高时，V1电平也将升高，同时由M21～M24感应运放两个输入节点电位差并将其进一步放大，提升了M25的栅极电位，同时通过M26镜相电流的增大，使流过M25的电流增大，降低了M25的等效输出电阻，最终使V1电平降低。显然放大器的增益越高，对电源波动的抑制越好。由于电路存在两个偏置点，为了保证电路的正常工作，加入了M29～M31的启动电路。当电源电压接通时，可

8、能出现各支路电流为零的情况，电路处于非正常工作状态，此时输出电压也为0。由于M3