LTE帧结构及物理层-讲解.ppt

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1、内容:TD-LTE关键技术-物理层基本原理帧结构及物理信道物理层过程TD-LTE帧结构子帧:1ms时隙0.5ms#0DwPTS特殊子帧:1ms#2#3#4半帧:5ms半帧:5ms帧:10msGPUpPTSTD-LTE帧结构特点:无论是正常子帧还是特殊子帧,长度均为1ms。FDD子帧长度也是1ms。一个无线帧分为两个5ms半帧,帧长10ms。和FDDLTE的帧长一样。特殊子帧DwPTS+GP+UpPTS=1msDL-ULConfigurationSwitch-pointperiodicitySubframenumber012

2、345678905msDSUUUDSUUU15msDSUUDDSUUD25msDSUDDDSUDD310msDSUUUDDDDD410msDSUUDDDDDD510msDSUDDDDDDD65msDSUUUDSUUDTD-LTE上下行配比表转换周期为5ms表示每5ms有一个特殊时隙。转换周期为10ms表示每10ms有一个特殊时隙。关键技术帧结构物理信道物理层过程TD-LTE和TD-SCDMA邻频共存(1)TD-S=3:3根据仿真结果,此时TD-LTE下行扇区吞吐量为26Mbps左右(采用10:2:2,特殊时隙可以用来传输业

3、务)TD-LTE=2:2+10:2:2TD-SCDMA时隙=675usDwPTS=75usGP=75usUpPTS=125usTD-LTE子帧=1ms=30720Ts10:2:2=21952Ts:4384Ts:4384Ts3:9:2=6592Ts:19744Ts:4384TsTD-SCDMATD-LTE1.025ms=2.15ms特殊时隙特殊时隙共存要求:上下行没有交叠(图中Tb>Ta)。则TD-LTE的DwPTS必须小于0.85ms(26112Ts)。可以采用10:2:2的配置0.675ms1ms关键技术帧结构物理信道物

4、理层过程TD-SCDMATD-LTETD-SCDMA时隙=675usDwPTS=75usGP=75usUpPTS=125usTD-LTE子帧=1ms=30720Ts10:2:2=21952Ts:4384Ts:4384Ts3:9:2=6592Ts:19744Ts:4384Ts0.7ms0.675ms1ms=1.475ms共存要求:上下行没有交叠(图中Tb>Ta)。则TD-LTE的DwPTS必须小于0.525ms(16128Ts),只能采用3:9:2的配置TD-S=4:2根据计算,此时TD-LTE下行扇区吞吐量为28Mbps左

5、右(为避免干扰,特殊时隙只能采用3:9:2,无法用来传输业务。经计算,为和TD-SCDMA时隙对齐引起的容量损失约为20%)计算方法:TS36.213规定,特殊时隙DwPTS如果用于传输数据,那么吞吐量按照正常下行时隙的0.75倍传输。如果采用10:2:2配置,则下行容量为3个正常时隙吞吐量+0.75倍正常时隙吞吐量。如果丢失此0.75倍传输机会,则损失的吞吐量为0.75/3.75=20%TD-LTE=3:1+3:9:2关键技术帧结构物理信道物理层过程TD-LTE和TD-SCDMA邻频共存(2)TD-LTE和TD-SCDM

6、A邻频共存(3)TD-SCDMA与TD-LTE邻频共存时,需要严格时隙对齐,当TD-SCDMA配置为2UL:4DL时,TD-LTE需用配置1UL:3DL,特殊时隙3:9:2或3:10:1与其匹配DwPTS均仅占用3个符号,无法传输业务信道,为了提高业务信道的容量,又满足邻频共存时两个TDD系统的GP对齐,建议增加DWPTS的符号数,在短CP情况下,增加新的特殊时隙配比6:6:2;在长CP下情况下,增加新的特殊时隙配比5:5:2增加新的特殊时隙配比需要修改标准,目前已经将该要求写入R11版本,后续将考虑如何在R9版本中引入该

7、要求。关键技术帧结构物理信道物理层过程特殊子帧TD-LTE特殊子帧继承了TD-SCDMA的特殊子帧设计思路,由DwPTS,GP和UpPTS组成。TD-LTE的特殊子帧可以有多种配置,用以改变DwPTS,GP和UpPTS的长度。但无论如何改变,DwPTS+GP+UpPTS永远等于1ms特殊子帧配置NormalCPDwPTSGPUpPTS0310119412103131121412115392693271022811121msGPDwPTSUpPTS1msGPDwPTSUpPTSTD-LTE的特殊子帧配置和上下行时隙配置没有制

8、约关系,可以相对独立的进行配置目前厂家支持10:2:2(以提高下行吞吐量为目的)和3:9:2(以避免远距离同频干扰或某些TD-S配置引起的干扰为目的),随着产品的成熟,更多的特殊子帧配置会得到支持关键技术帧结构物理信道物理层过程主同步信号PSS在DwPTS上进行传输DwPTS上最多能传两个PDCCHOF

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