VDMOS 详细培训教案.ppt

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1、VDMOS产品介绍0目录第一部分：MOSFET介绍第二部分：VDMOS主要参数第三部分：VDMOS工艺流程第四部分：公司现有VDMOS产品汇总第五部分：VDMOS产品注意事项1第一部分：MOSFET介绍MOSFET：MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor即金属氧化物半导体场效应晶体管2第一部分：MOSFET介绍MOSFET的分类：VDMOSP沟道增强型P沟道耗尽型N沟道增强型N沟道耗尽型3第一部分：MOSFET介绍MOSFET主要工作原理（以N沟道增强型为例）：衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷

2、的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，表面有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt（阈值电压）表面发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，如果在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。4第一部分：MOSFET介绍MOSFET的特点：双边对称：电学性质上，源漏极可以互换（VDMOS不可以）单极性：参与导电的只有一种载流子，双极器件是两种载流子导电。高输入阻抗：由于存在栅氧化层，在栅和其它端点之间不存在直流通路，输入阻抗非常高。电压控制：MOS场效应管是电压控制器件，双极功率器件是电流控制器件。驱动简

3、单。自隔离：MOS管具有很高的封装密度，因为MOS晶体管之间能够自动隔离。能广泛用于并联。其它：温度稳定性好5第一部分：MOSFET介绍功率器件的特征：低中等高开关损失快中等慢开关速度高低低开态电阻简单简单复杂控制电流低低高控制电压电压电压电流输入控制参数符号VDMOSIGBT晶体管项目6第一部分：MOSFET介绍功率器件的特征：7第一部分：MOSFET介绍功率MOSFET的主要类型：VDMOS（垂直双扩散MOS）VVMOS（垂直V型槽MOS）UMOS（U型槽MOS）其它如coolMOS等8第一部分：MOSFET介绍功率MOSFET的主要类型：VDMOS是大量重要特征结合的产物，包括垂

4、直几何结构、双扩散工艺、多晶硅栅结构和单胞结构等。9目录第一部分：MOSFET介绍第二部分：VDMOS主要参数第三部分：VDMOS工艺流程第四部分：公司现有VDMOS产品汇总第五部分：VDMOS产品注意事项10第二部分：MOSFET主要参数VDMOS主要参数：11第二部分：MOSFET主要参数VDMOS主要参数：12VDMOS主要参数：第二部分：MOSFET主要参数13VDMOS主要参数：第二部分：MOSFET主要参数14VDMOS主要参数：第二部分：MOSFET主要参数15VDMOS主要参数（静态参数）：BVdss:漏源击穿电压(与三极管的cb电压相似)Id:连续漏极电流Rds（on

5、）：通态电阻，器件导通时，给定电流时的漏源电阻gfs：跨导，漏极电流随栅源电压变化的比值（单位：S西门子）Vgs(th)：阈值电压，多晶下面的沟道出现强反型层并且在源极和漏极之间形成导电沟道时的栅源电压第二部分：MOSFET主要参数16VDMOS主要参数（开关参数）：开关参数Td(on)：开启延迟时间Tr：上升时间Tf：下降时间Td(off)：关闭延迟时间Qg：栅极电荷Ton：开通时间Toff：关断时间第二部分：MOSFET主要参数17VDMOS主要参数（原理图）：VDMOS的开关过程a)测试电路b)开关过程波形up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—

6、检测漏极电流第二部分：MOSFET主要参数18Ciss:输入电容（Cgs+Cgd）Coss:输出电容（Cgd+Cds）Crss：反向传输电容（Cgd）第二部分：MOSFET主要参数VDMOS主要参数（动态参数）：19第二部分：MOSFET主要参数VDMOS主要动态参数（原理图）：20目录第一部分：MOSFET介绍第二部分：VDMOS主要参数第三部分：VDMOS工艺流程第四部分：公司现有VDMOS产品汇总第五部分：VDMOS产品注意事项21制造流程芯片制造封装外延片制造管芯制造第三部分：VDMOS产品工艺流程22第三部分：VDMOS产品工艺流程23管芯制造：分压环制作栅氧制备P-注入P+

7、注入P阱推结N+注入PSG淀积接触孔制备正面电极制备背面电极制备中测裂片表面钝化第三部分：VDMOS产品工艺流程24场氧化J-FET注入环光刻分压环制备第三部分：VDMOS产品工艺流程25多晶淀积多晶激活栅氧制造和P-注入：栅氧P-注入去胶多晶光刻第三部分：VDMOS产品工艺流程26P+注入去胶P+注入和阱推结：P+光刻P阱推结本图及以后不再考虑终端第三部分：VDMOS产品工艺流程27P阱推结后照片第三部分：VDMOS产品工艺流程28N+注入去