实验目的：NaI（Tl）单晶γ能谱仪.ppt

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1、近代物理实验之——NaI（Tl）单晶γ能谱仪实验目的：Keywords：γ射线，能谱仪，定标曲线，处理数据实验原理：γ射线与物质的相互作用1.光电效应（电磁辐射，E=hν）2.康普顿效应（非弹性碰撞，反冲电子）3.电子对效应（）2.γ能谱仪：3.γ能谱4.能量分辨率实验内容：1.能谱仪定标2.卡全能峰方法求铅对射线的质量吸收系数3.研究高压与探头分辨率的关系，对谱峰位置的影响4.研究内容3中不同高度源位置对实验结果的影响实验结果：用Cs137的一个光电峰和Co60的对能谱定标0.662Mev;1.17Mev;1.33Me

2、v由图可知E=-0.01912+0.00157CH带入Na22的光电峰和正负电子湮灭峰的道数CH得E1=0.5051MeV（0.511）E2=1.2918MeV（1.275）Cs137的反散射峰E3=0.1644MeV（0.184）E4=0.4864MeV（0.478）固定位置铅的质量吸收系数μ：放射衰减公式I=I0*exp(-με)=I0*exp（-μζx）取对数lnI=lnI0-μζx斜率为（-μζ）又光电峰面积S正比于I，∴lnS正比于x，斜率为-μζ对lnS=A+Bx进行直线拟合，即可得μ=-B/ζA=10.30

3、0B=-0.09238=0.99896∴μ=-B/ζ=(0.0920.001)散射截面：Κ為吸收系数，n为散射中心截面2.对不同位置源铅的质量吸收系数：I=I0*exp(-με)=I0*exp（-μρN）I(iN)=I(i0)exp(-μNρ)I(iM)=I(i0)exp(-μMρ)∴I(iN)/I(iM)=exp(-μ(M-N)ρ)可推出I(iN)=exp(-μ(M-N)ρ)I(iM)取（I（i3），I（i2）），（I（i2），I（i1）），（I（i1），I（i0））三点拟合，斜率为K（i）=exp(μρ)取（I（i3

4、），I（i1）），（I（i2），I（i0））两点拟合，斜率K（i）=exp(2μρ)也可得到不同i下的μ值μ1=0.084；μ2=0.091；μ3=0.147；μ4=0.539；以上数据对应：d1=1.70cm；d2=2.30cm；d3=4.08cm；d4=8.50cm；电压漂移对峰位的影响：谢谢！