EMC电磁兼容测试报告.doc

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1、编号NO.2812共页检验记录产品名称NAMEOFSAMPLE智能读卡锁商标型号TRADEMARK&TYPECHD1200M制造厂商MANUFACTURER深圳市纽贝尔电子有限公司委托单位CLIENT深圳市纽贝尔电子有限公司检验类别TESTSORT委托检验项目TESTITEM静电放电抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度深圳电子产品质量检测中心SHENZHENELECTRONICPRODUCTQUALITYTESTINGCENTER深圳电子产品质量检测中心检验记录第2页共页样品名称智能读卡锁商标/制造厂商

2、深圳市纽贝尔电子有限公司型号规格CHD1200M委托单位深圳市纽贝尔电子有限公司取样方式委托人送样抽样单位/抽样母数1台抽样地点/样品数量1台生产日期--抽样日期/送检日期2008年11月14日检验日期2008年11月14日--2008年12月4日检验环境15～35℃45～75%RH样品说明:检测样品1台，检测编号：1#，检测前后样品外观完好，功能正常。测试时供电电压：DC12V检验项目:静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度检测依据:IEC61000-4-5:2005、IEC61000-4-2：

3、2001、IEC61000-4-4-2004、企业要求检验概况:依据标准和企业要求对1台样品分别进行了静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度共3项的检测，测试结果均符合企业要求。详见后页。检验结论:共检3项，3项均符合企业要求检验负责人：审核：批准：职务：年月日年月日年月日抗扰度试验判据说明：序号判定准则类别说明1判据A试验中EUT在规范极限值内性能正常2判据B试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复3判据C试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位)4判据D

4、试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失检验项目：浪涌（冲击）抗扰度试验依据标准：IEC61000-4-5:2005、企业要求产品名称：智能读卡锁商标型号：CHD1200M样品编号：1#试验条件：温度：23℃，湿度：52%RH，正常大气压。电磁条件保证受试设备正常工作，并不影响试验结果。EUT状态：试验前工作正常，试验中受试设备刷卡及RS485命令开锁正常，使受试设备处于正常工作状态。试验等级：在受试设备的DC电源和信号线端口：正-负：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50µs（短路电流波形8/2

5、0µs），2Ω内阻正（或负）-地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50µs（短路电流波形8/20µs），12Ω内阻信号线对线：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50µs（短路电流波形8/20µs），15Ω内阻信号线对地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50µs（短路电流波形8/20µs），15Ω内阻要求符合性能判据B。试验布置：严格按标准要求。试验过程：：浪涌（冲击）电压施加在EUT的DC电源和信号线端口，60秒钟一次，正、负极性各做5次。试验电压由低等级增加到规定的试验等级，较低等级均应满足要求。EUT表

6、现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全的后果，试验中及试验后，EUT工作正常，表现出抗扰能力。符合性能判据A。描述如下：受试设备在试验前正常工作，试验中及试验后EUT工作正常。符合性能判据要求。检验人：校核人：检验日期：校核日期：抗扰度试验判据说明：序号判定准则类别说明1判据A试验中EUT在规范极限值内性能正常2判据B试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复3判据C试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位)4判据D试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失检验

7、项目：静电放电抗扰度试验依据标准：IEC61000-4-2：2001、企业要求产品名称：智能读卡锁商标型号：CHD1200M样品编号：1#试验条件：温度24℃，湿度：52％RH，正常大气压。电磁条件保证受试设备正常工作，并不影响试验结果。EUT状态：试验前工作正常，试验中受试设备刷卡及RS485命令开锁正常。，使受试设备处于正常工作状态。试验等级：a)接触放电：试验电压6kV。b)空气放电：试验电压8kV。要求符合性能判据B。试验布置：严格按标准要求。试验过程：a)对EUT可接触的导电表面、螺钉、端口等金属体进行接触

8、放电，分别选择4个以上试验点进行（每点至少50次，正负极性各25次），其中一个试验点承受水平耦合板前边缘中心距EUT0.1m处至少50次间接（接触）放电。试验电压4kV，用尖端接触放电枪头，最大放电重复频率为1次/s。试验电压应从最小值逐渐增加至规定的试验值，以确定故障的临界值。b)对EUT可接触的壳体表面，按键、指示灯、显示屏、壳体等的缝隙进