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时间:2020-08-05
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1、《电子技术基础》模拟部分(第六版)电子技术基础模拟部分1绪论2运算放大器3二极管及其基本电路4场效应三极管及其放大电路5双极结型三极管及其放大电路6频率响应7模拟集成电路8反馈放大电路9功率放大电路10信号处理与信号产生电路11直流稳压电源5.1BJT5.1.1BJT的结构简介5.1.2放大状态下BJT的工作原理5.1.3BJT的V-I特性曲线5.1.4BJT的主要参数5.1.5温度对BJT参数及特性的影响5.1.1BJT的结构简介(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管5.1.1BJT的结构简介5.1.1BJT的结构简介半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型
2、:NPN型和PNP型。NPN型PNP型5.1.1BJT的结构简介结构特点:•发射区的掺杂浓度最高;•集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;•基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。集成电路中典型NPN型BJT的截面图载流子的传输过程5.1.2放大状态下BJT的工作原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。外部条件:发射结正偏集电结反偏1.内部载流子的传输过程发射区:发射载流子集电区:收集载流子基区:传送和控制载流子(以NPN为例)由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管或BJT(BipolarJunctionTr
3、ansistor)。IC=ICN+ICBOIE=IB+IC载流子的传输过程2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICBO通常IC>>ICBO为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般=0.90.99。IE=IB+IC是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般>>1。根据IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO(穿透电流)2.电流分配关系3.三极管的三种组态共集电极接法,集电极作为公共电极,简称CC。共基极接法,基极作为公共电极,简称CB;共发射极接法,发射极作为公
4、共电极,简称CE;iEiCiBiCiBiEiC=iEiC=iBiE=(1+)iB输出口输入口输出口输入口输出口输入口共基极放大电路4.放大作用若vI=20mV电压放大倍数使iE=-1mA,则iC=iE=-0.98mA,vO=-iC•RL=0.98V,当=0.98时,5.1.2放大状态下BJT的工作原理综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是:(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。5.1.3BJT的I-V特性曲线
5、+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCEiB=f(vBE)vCE=const(2)当vCE≥1V时,vCB=vCE-vBE>0,集电结已进入反偏状态,收集载流子能力增强,基区复合减少,同样的vBE下IB减小,特性曲线右移。(1)当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线(以共射极放大电路为例)5.1.3BJT的I-V特性曲线(3)输入特性曲线的三个部分①死区②非线性区③近似线性区iBvBEiBvBEiBvBE1.输入特性曲线5.1.3BJT的I-V特性曲线饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V(硅管)。此时,发
6、射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)iB=const输出特性曲线的三个区域:截止区:iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时,vBE小于死区电压。放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。2.输出特性曲线5.1.4BJT的主要参数(1)共发射极直流电流放大系数1.电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const5.1.4BJT的主要参数(3)共基极直流电流放大系数=(IC-ICBO)/IE≈IC/IE(4)共基极交流电流放大系数αα=IC/IEVCB=const当ICBO和IC
7、EO很小时,≈、≈,可以不加区分。1.电流放大系数5.1.4BJT的主要参数(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时,集电结的反向饱和电流。2.极间反向电流5.1.4BJT的主要参数(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO=(1+)ICBO即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。2.极间反向电流5.1.4BJT的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM
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