电力电子填空题知识讲解.doc

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1、电力电子填空题精品文档电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住

2、电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断

3、晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT收集于网络，如有侵权请联系管理员删除精品文档_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有__IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MO

4、SFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。第2章整流电路　　　3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 　　4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q=_π-α-d_;当控制角a

5、小于不导电角d时，晶闸管的导通角q=_π-2d_。5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于___，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连续的条件为____(U2为相电压有效值)。 　　6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o_，当它带阻感负载时，a的移相范围为__0-90o_收集于网络，如有侵权请联系管理员删除精品文档。 　　7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导

6、通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路a角的移相范围是_0-120o_，ud波形连续的条件是__。8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 　　9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为___，随负载加重Ud逐渐趋近于_0.9U2_，通常设计时，应取RC≥_1.5-2.5_T，此时输出电压为Ud≈__1.2_U2(U2为相电压有效值，T为交流电源的周期)。 　　10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流id断续和连续的临界条件是__，电路中的二极管承受的最

7、大反向电压为__U2。 　　11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当a从0°～90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而_增大_，当a从90°～180°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而_减小_。 　12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角0

8、，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角a>90O，使输出平均电压Ud为负值_。 　　　　15.直流