行业标准：GB-T12964-2003 硅单晶抛光片.pdf

《行业标准：GB-T12964-2003 硅单晶抛光片.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、GB/T12964-2003前言本标准修改采用半导体设备和材料国际组织标准SEMIMl-0997(硅单晶抛光片规范》中的有关内容，对GB/T12964-1996进行修订而成的。主要在原标准的内容上增加了直径200mm直拉硅单晶抛光片的内容。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。本标准由北京有色金属研究总院、洛阳单晶硅有限责任公司负责起草。本标准主要起草人:翟富义、孙燕、董慧燕、卢立延、曹孜、孙文海。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:—GB/T12

2、964-1991,GB/T12964-19960GB/T12964-2003硅单晶抛光片范围本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，

3、然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550-1997非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555-1997半导体单晶晶向测定方法GB/T1558-1983测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法GB/T2828-1987逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB/T4058-1995

4、硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T6618-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619-1995硅片弯曲度测试方法GB/T6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目检测试方法GB/T11073-1989硅片径向电阻率变化的测试方法GB/T12962-1996硅单晶GB/T13387-1992电子材料晶片参考面长度测

5、试方法GB/T13388-1992硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T14140.1-1993硅片直径测量方法光学投影法GB/T14140.2-1993硅片直径测量方法千分尺法GB/T14143-1993300-v900pm间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14264-1993半导体材料术语GB/T14844-1993半导体材料牌号表示方法YS/T26-1992硅片边缘轮廓检验方法3术语主参考面直径primaryflatdiameter从参考面的中心沿着垂直参考面的直径，通过硅片达对面的边缘

6、周边处的直线长度。见图la).GB/T12964-2003哪侧旧柳热州a)主参考面直径所有尺寸以mm表示注:本图以虚线表示的销子，用来对准夹具中有切口晶片;在测量切口尺寸和尺寸公差时，该销子还用作有切口晶片的基准。本图中所示的切口尺寸，假定该对准销子直径为3mmb)切口尺寸图1主参考面直径和切口尺寸3.2硅片切口notchonasiliconwafer在硅片上加工的具有规定形状和尺寸的凹槽。详见图16)(0200mm抛光片)，切口由平行规定的低指数晶向并通过切口中心的直径来确定。该直径又称取向基准

7、轴。3.3合格质，区(FQA)fixedqualityareaGB/T12964-2003标称边缘除去X后，所限定的硅抛光片表面的中心区域，该区域内各参数的值均应符合规定值。3.4局部区域site硅抛光片前表面上的一种矩形区域。矩形的边平行和垂直主参考面或切口的等分角线。矩形的中心应在FQA内。3.5局部平整度siteflatness在FQA内，局部区域的TIR或FPD中的最大值。4产品分类4.1分类硅抛光片按导电类型分为N型,P型两种类型，按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔(FZ),4.

8、2牌号硅抛光片的牌号表示:按GB/T14844规定。4.3规格硅抛光片按直径分为050.8mm,is76.2mm,0100mm,0125mm,0150mm和0200mm六种规格。5技术要求5.1物理性能参数硅抛光片的导电类型、掺杂剂、电阻率及其径向变化、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体缺陷应符合GB/T12962的规定。5.2几何参数硅抛光片的几何参数应符合表1的规定。表，硅抛光片几何尺寸参数要求硅片直径/mm50.876.2100125150200直径允许偏差/mm士0.4士