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1、CMOS模拟集成电路版图设计基础教程薛晓博Oct.20th,2013Outline•初识工艺流程与版图设计•Layout-XL基本使用方法•快捷键与小技巧•DRC与LVS•版图寄生参数提取与后仿真InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-302University•初识工艺流程与版图设计•Layout-XL基本使用方法•快捷键与小技巧•DRC与LVS•版图寄生参数提取与后仿真InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-303Univer
2、sity初识工艺流程和版图设计•如何将设计的电路制作出来•芯片生产厂商通过特定的加工工艺将三维立体的器件和导线集成制造在硅片上•集成电路工艺制造的特点•利用光刻、氧化、参杂注入、离子刻蚀等手段由底及高一层一层地将器件和导线制作成型•如何理解集成电路工艺•如堆叠积木般一层一层地将器件与连线制造出来，制作每一层的时候如同雕刻图章InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-304University初识工艺流程和版图设计•什么是版图（Layout）•版图实质上是将立体的器件与
3、导线投影到每一层光刻掩模版（mask）上的绘图•光刻掩模版有什么用•光刻掩模版上的图形表示通光或遮光的区域，实际上是用来告诉工艺进行光刻时需要雕琢的图形和区域•版图和工艺制造的关系•版图中的每一层代表一种需要制作的元件或者导线；同一层中绘制的图形的“或”是最终在一层mask上的图形；不同层图形的“与”得到了器件的关键区域和参数InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-305UniversityN-wellCMOS基本工艺流程剖面图俯视图InstituteofVLSID
4、esign,Zhejiang2013-10-306UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-307UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-308UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-309UniversityN-wellCMOS基本工艺流程I
5、nstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3010UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3011UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3012UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3013Universi
6、tyN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3014UniversityN-wellCMOS基本工艺流程InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3015UniversityN-wellCMOS基本工艺流程MOS管电镜照片InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3016University初识工艺流程和版图设计•什么是PDK和DesignRule•PDK（Proce
7、ssDesignKit）工艺设计包，是由工艺代工厂商提供的一套反映工艺特性的资料工具包，包括DesignRule、DRC&LVS、版图层次定义文件、SPICE仿真模型、器件版图和器件定制参数•DesignRule（设计规则）根据工艺、设备、制作流程和水平等相关指标，设定出一个相符的规则，以保证生产出的芯片是有效的•DesignRule的作用•DesignRule实际上定义出了同层或不同层版图间的几何尺寸、位置关系以及需要符合的电气特性InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013
8、-10-3017University初识工艺流程和版图设计PDK提供的工艺库文件InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3018University初识工艺流程和版图设计DeignRule中定义的几何尺寸与位置关系InstituteofVLSIDesign,Zhejiang2013-10-3019University•初识工艺流程与版图设计•Layout-XL基本使用方法•快捷键与小技巧•DRC与LVS•版图寄生参数提
