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时间:2020-07-31
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1、计算机组成与结构部分习题及答案(仅供参考)第四章主存储器一、选择题1、关于主存下列叙述正确的是(C )A主存的速度可与CPU匹配。B存是RAM,不包括ROMC辅存的程序调入主存中才能执行D辅存中不能存放程序,只能存放数据2、断电后将丢失信息的是(B)A)ROM B)RAM C)磁盘 D)光盘3、关于主存下列叙述正确的是(A )ACPU可直接访问主存,但不能直接访问辅存BCPU可直接访问主存,也直接访问辅存CCPU不能直接访问主存,也不能直接访问辅存DCPU不能直接访问主存,但能直接访问辅存4、16K×32位存储芯片的数据线有(
2、C)A)5条 B)14条 C)32条 D)46条5、16K×32位存储芯片的地址线有(B)A)5条 B)14条 C)32条 D)46条6、半导体静态存储器SRAM的存储原理是(A)A)依靠双稳态电路保存信息 B)依靠定时刷新保存信息C)依靠读后再生保存信息 D)信息存入后不在变化7、动态RAM是指(C)A)存储容动态变化 B)需动态改变访问地址C)需对存储容定时动态刷新 D)每次读都要重写动态RAM的基本单元电路。常见的动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种,它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信
3、息的。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”,电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电信息也会自动消失。为此,必须在2ms对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程叫再生或刷新。由于它与静态RAM相比,具有集成度更高、功耗更低等特点,因此目前被各类计算机广泛应用。由Tl、T2,T3三个MOS管组成的三管MOS动态RAM基本单元电路:读出时,先预充电使读数据线达高电平VDD,然后由读选择线打开T2,若Tl的极间电荷Cg存有足够多的电荷(被认为原存“1”),使T1导通,则因T2、Tl导通接地,使
4、读数据线降为零电平,读出“0”信息。若Cg没足够电荷(原存“0”),则T1截止,读数据线为高电平不变,读出“1”信息。可见,由读出线的高低电平可区分其是读“1”,还是读“0”,只是它与原存信息反相。 写入时,将写入信号加到写数据线上,然后由写选择线打开T3,这样,Cg便能随输入信息充电(写“1”)或放电(写“0”)。为了提高集成度,将三管电路进一步简化,去掉Tl,把信息存在电容Cs上,将T2、T3合并成一个管子T,得单管MOS动态RAM基本单元电路。读出时,字线上的高电平使T导通,若Cs有电荷,经T管在数据线上产生电流,可视
5、为读出“1”。若Cs无电荷,则数据线上无电流,可视为读出“0”。读操作结束时,Cs的电荷已泄放完毕,故是破坏性读出,必须重写。8、计算机主存储器读写的时间数量级为(D )A)秒 B)毫秒 C)微秒 D)纳秒9、计算机主存由(D)A)RAM组成 B)ROM组成C)ROM与RAM组成 D)存与外存组成10、用户程序所放的主存空间属于(B )A)RAM B)ROMC)ROM与RAM D)存与外存11、在下列存储器中,(A )可以作为主存储器。A半导体存储器 B硬盘 C光盘D磁带12、关于主存,以下叙述正
6、确的是(A )A主存比辅存小,但速度快。 B主存比辅存大,且速度快。C主存比辅存小,且速度慢。 D 主存比辅存大,但速度慢。13、EPROM是指(D) A.随机读写存储器B.只读存储器 C.可编程只读存储器D.紫外光可擦除可编程只读存储器14、下列说确的是(C) A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆 B.半导体RAM属易失性存储器,而静态RAM的存储信息是不易失的 C.静态RAM、动态RAM都属易失性存储器,前者在电源不掉时,不易失 D.静态RAM不用刷新,且集成度比动态R
7、AM高,所以计算机系统上常使用它15、CPU不能直接访问的是(D)A.RAMB.ROMC.存D.外存16、存储器的字线是(A)A.存储体与读写电路连接的数据线.它们通过读写电路传送或接收数据寄存器的信息.一个数据寄存器的位数正好是机器字长,故称为字线B.存储器的数据线.其线数正好与数据寄存器的位数相对应C.经地址译码器译码之后的存储单元的地址线D.以上三种说法都不对17、CPU可随机访问的存储器是(B)A。光盘存储器 B。主存储器 C。磁盘存储器 D。磁带存储器18、和MOS和RAM比较,双极型RAM的特点是(A)A。速
8、度快,集成度低,位功耗高 B。速度快,集成度高,位功耗高C。速度快,集成度低,位功耗低 C。速度慢,集成度高,位功耗底19、字位结构为1M*4位的DRAM存储芯片,其地址引脚与数据引脚之和为(C)A。28 B。14 C。24 D。12二、填空题1、1GB
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