MOS模拟集成电路基础课件.ppt

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1、第6章MOS模拟集成电路基础6.1MOS模拟集成基本单元电路6.1.1MOS电流源1.镜像电流源在vDS1＝vDS2W2/L2=W1/L1的情况下：IO＝IR考虑vDS的差异，修正为：输出电阻为：2.比例电流源3.威尔逊电流源4.改进型威尔逊电流源在开启电压VGS(th)较大时，T2的VDS2大于T3的VDS3＝VGS3，会导致T2和T3的电流失配，因此增加T4，如右图6.1.2MOS单级放大器因MOS管的gm低，一般采用有源负载，以增强型（E型）作放大管和有源负载的电路称为E/E型，以E型管作为放大管，耗尽型（D型）管作为有源负载称

2、为E/D型，以NMOS管和PMOS管组成的互补放大器称为CMOS型E/D型共源放大器CMOS型共源放大器CMOS型共源放大器的大信号特性：CMOS型共源放大器的小信号特性：AV(0)=-gm1rds1//rds2=－＝－ro=rds1//rds2CO=Cbd1+Cgd2+Cbd2+Cgd16.1.3MOS源耦对与差动放大器大信号特性：6.1.3.2MOS源耦差动放大器6.1.4CMOS互补输出级6.2CMOS集成运算放大器6.2.1简单的CMOS集成运放6.2.1.1PMOS输入级低功耗运放6.2.1.2NMOS输入级低功耗运放6.2

3、.1.3MOS运放相位补偿的特点6.2.1.4高共模抑制比的CMOS运放输入级6.2.2单片集成微功耗CMOS运放6.2.3斩波稳零超低漂移单片集成CMOS运放6.2.3.1动态校零原理6.3CMOS集成电压比较器6.3.1差动输入单片集成CMOS电压比较器6.3.2高精度自稳零CMOS集成电压比较器6.4MOS模拟开关6.4.1MOSFET开关特性与开关等效电路Ron的变化曲线：6.4.2CMOS开关电路消除衬底调制效应底CMOS开关电路6.4.3CMOS四通道模拟开关CD4066为例：