电力电子器件变频器应用技术课件.ppt

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1、变频技术及应用范婕电气自动化铜川职业技术学院一、不可控器件——电力二极管（PD）1.电力二极管的外形、结构及电气符号电气自动化电力电子器件一、不可控器件——电力二极管（PD）1.电力二极管的外形、结构及电气符号电气自动化电力电子器件一、不可控器件——电力二极管（PD）2.伏安特性正向特性：当从零逐渐增大正向电压时，开始阳极电流很小，当正向电大于0.5V时，正向阳极电流急剧上升，管子正向导通。反向特性：当二极管加上反向电压时，起始段的反向漏电流也很小，而且随着反向电压增加，反向漏电流只略有增大，但当反向电压增加到反向不重复峰值电压值时，反向漏电流开始急剧增加。电

2、气自动化电力电子器件二、半可控器件——晶闸管（SCR）1.晶闸管的外形、结构及电气符号电气自动化电力电子器件二、半可控器件——晶闸管（SCR）1.晶闸管的外形、结构及电气符号电气自动化电力电子器件二、半可控器件——晶闸管（SCR）2.伏安特性电气自动化电力电子器件三、全控型器件1.门极可关断晶闸管（GTO）GTO的结构GTO的工作特性导通过程与普通晶闸管相同，关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，器件退出饱和而关断。电气自动化电力电子器件三、全控型器件1.门极可关断晶闸管（GTO）优缺点优点：电压、电流容量较大，多应用于大功率高压变频器。缺点：驱动功率大，

3、驱动电路复杂；关断控制易失败，工作频率不够高，一般在10kHz以下。电气自动化电力电子器件三、全控型器件2.电力晶体管（GTR）GTR的结构电气自动化电力电子器件三、全控型器件2.电力晶体管（GTR）GTR的伏安特性电气自动化电力电子器件三、全控型器件2.电力晶体管（GTR）二次击穿电气自动化电力电子器件三、全控型器件3.电力场效应晶体管（MOSFET）结构电气自动化电力电子器件三、全控型器件3.电力场效应晶体管（MOSFET）工作特性电气自动化电力电子器件三、全控型器件3.电力场效应晶体管（MOSFET）优缺点优点：属于电压驱动元件，输入阻抗高，驱动功率小，

4、驱动电路简单；开关速度快，开关频率可达到500kHz以上。缺点：电流容量小，耐压低。电气自动化电力电子器件三、全控型器件4.绝缘栅双极晶体管（IGBT）结构IGBT是在P-MOSFET基础上发展起来的集成新型器件，其结构是以GTR为主导元件，P-MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其结构、电路符号、等效电路如下图示。外部有三个电极(G栅极、C集电极、E发射极)。电气自动化电力电子器件三、全控型器件4.绝缘栅双极晶体管（IGBT）结构电气自动化电力电子器件三、全控型器件4.绝缘栅双极晶体管（IGBT）工作特性电气自动化电力电子器件三、全控型器件4.绝缘

5、栅双极晶体管（IGBT）优缺点输出特性好，开关速度快，工作频率高，输入阻抗高，耐压耐流能力强。四、其他新型电力电子器件集成门极换流晶闸管电气自动化电力电子器件四、其他新型电力电子器件智能功率模块（IPM）电气自动化电力电子器件