场效应管及其放大电路（改）课件.ppt

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1、第九讲场效应管及其放大电路一、场效应管二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法三、场效应管放大电路的动态分析四、复合管放大电路12.6.1场效应管FET（以N沟道为例）晶体管——双极性管；电流控制器件；Ri不高（iB≠0）场效应管——单极性管；电压控制器件；iG→0,Ri=107～1012Ω。FET——结型、绝缘栅型（MOS）1.结型场效应管(JFET)——N沟道、P沟道导电沟道(N沟道多子为电子)源极栅极漏极(b)N沟道结构示意图2.6场效应管及其放大电路(a)符号有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d

2、），对应于晶体管的e、b、c.2（1）uDS=0,uGS对导电沟道的控制作用(a)uGS=0沟道最宽

3、uGS

4、增大沟道变窄,Rds↑

5、uGS

6、=UGS(off)沟道消失(夹断),Rds=∞uGS可以改变耗尽层宽度，控制导电沟道的宽度，即uCS可以改变沟道电阻Rds的大小。夹断电压工作原理3（2）转移特性——uGS对iD控制作用(UGS（off）

7、UGS

8、↑↑=UGS(off)，沟道夹断，ID=0漏极饱

9、和电流夹断电压①不同型号的管子UGS（off）、IDSS不同；②d、s极可以调换使用N4uGD＝UGS（off）uGD>UGS（off）uGD0、uGD>UGS(off):iD∝uDS——可变电阻区。③uDS↑→uGD=UGS(off)——“预夹断”④当uDS↑↑→uGD

10、S。5（4）输出特性预夹断轨迹可变电阻区恒流区夹断区（截止区）IDSS低频跨导：ΔiD击穿区①uDS=0，多子无定向移动，iD=0；uDS>0、uGD>UGS(off):△iD∝△uDS——可变电阻区。③uGS

11、关系正常工作条件：72.绝缘栅型场效应管（IGFET;MOS）uGS=0,无导电沟道，即使uDS＞0，仍有iD=0。uGS增大，耗尽层增宽；形成反型层——导电沟道。使沟道刚刚形成的uGS——UGS(th)开启电压。uGS愈大，反型层愈厚，沟道电阻Rds愈小。uGS可改变Rds的大小。SiO2绝缘层（衬底）耗尽层空穴高掺杂反型层1）uDS＝0，uGS对导电沟道的影响（1）N沟道增强型MOS管82）转移特性——uGS对iD控制作用(a)UGS

12、—uGS=2UGS(th)时的iDUGS(th)——开启电压（iD=5uA时的uGS）(b)UGS≥UGS(th),沟道形成，iD>0——管导通随UGS↑→沟道变深→ID↑——压控器件(c)近似公式：93)uGS(>UGS(th))为定值，uDS对iD的影响用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？uDS较小，iD随uDS的增大而增大——可变电阻区uDS↑→uGD＝UGS（th）——预夹断uDS↑↑,夹断区增长，iD几乎仅受控于uGS，——恒流区刚出现夹断10①

13、uDS=0，少子无定向移动，iD=0；uDS>0，iD∝uDS——可变电阻区④uGS0uGS>011N沟道增强型MOS管特性曲线uDS>0，uGS>012（2）N沟道耗尽型MOS管耗尽型MOS管：uDS＞0，uGS可

14、＞0、＜0、＝0，灵活方便。加正离子①uGS=0，正离子→反型层，uDS>0→iD=IDSS——饱和漏极电流②uGS<0,反型层变薄，iD↓④当

15、uGS

16、↓=UGS(off)——夹断，iD≈0IDSS③uGS>0,反型层变厚，iD↑133.场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＜0才工作在恒