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时间:2020-07-26
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1、第1章半导体二极管与整流电路1主要内容半导体及其导电机理载流子及其分类PN结及其单向导电性正偏与反偏二极管及其伏安特性二极管应用:整流、限幅、检波等特殊二极管:稳压二极管、光敏二极管、发光二极管2导体:自然界中很容易导电的物质称为导体conductor,金属一般都是导体。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体nonconductor,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体semiconductor,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1.1半导体的基础知识3半导体的导电机理不同于其它物质
2、,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显改变。1.掺杂性2.热敏性和光敏性4一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。1.1.1本征半导体intrinsicsemiconductor5本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点,每个
3、原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电子。硅和锗的晶体结构6硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子7共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子(价电子),常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。+4+4+4+48在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子
4、carrier),它的导电能力为0,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子freeelectron,同时共价键上留下一个空位,称为空穴hole。1.载流子:自由电子和空穴二、本征半导体的导电机理9+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子102.本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。11温度越高,载流子的浓度越
5、高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成:1.电子电流:自由电子移动产生的电流。2.空穴电流:空穴移动产生的电流。12在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体)。N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。1.1.1杂质半导体extrinsicsemicondu
6、ctor13在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷,晶体中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。一、N型半导体N-typesemiconductor14+4+4+5+4多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么?1.由磷原子提供的电子,浓度与磷原子相同。2.本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流
7、子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。15P型半导体中空穴是多数载流子,电子是少数载流子。在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的半导体原子形成共价键时,产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子(价电子)来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。+4+4+3+4空穴硼原子二、P型半导体P-typesemiconductor16------------------------P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质型半导体多数
8、载流子和少数载流子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多数载流子。近似认为多子与杂质浓度相等。三、杂质半导体的符号17在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体
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