BT33单结晶体管(双基极二极管)原理.doc

《BT33单结晶体管(双基极二极管)原理.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是B

2、2在实际使用中并不特别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在2~15kW

3、之间，RBB一般可分为两段，RBB=RB1+RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。图1双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻RB1、RB2组成的等效电路替代。(a)(b)图2双基极二极管的特性测试电路当基极间加电压UBB

4、时，RB1上分得的电压为式中称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。2.当UE＝UBB＋UD时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流IE突然增大。把这个突变点称为峰点P。对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。显然，峰点电压Up＝UBB＋UD式中UD为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取UD＝0.7V。在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量的空穴型载流子，IE增长很快，E和B1之间变成低阻导通状态，RB1迅速减小，而E和B1之间的电压UE也随着下降。这一段特性曲线的动态电阻为

5、负值，因此称为负阻区。而B2的电位高于E的电位，空穴型载流子不会向B2运动，电阻RB2基本上不变。当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V。与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。此后，当调节RP使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的这部分特性称为饱和区。综上所述，单结晶体管具有以下特点：（1）当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。（2）单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比

6、有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。（3）不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。单结晶体管触发电路单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路图3单结晶体管的伏安特性曲线1．调节RP，使UE从零逐渐增加。当UE比较小时（UE＜UBB＋UD），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻。当UE很小时，有一

7、个很小的反向漏电流。随着UE的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。