常用电子元器件课件.ppt

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1、第2章常用电子元器件的应用(2)第2章常用电子元器件的应用2.1电阻器2.2电容器2.3电感器2.4晶体管2.5表面贴装元器件2.6光电耦合器2.7继电器2.8功率驱动2.9显示器件2.3电感器2.3.1电感器在电子电路中的应用1.直流电源滤波2.高频滤波3.谐振电路4.振荡器5.陷波器6.高频补偿第3次课2.3.1电感器在电子电路中的应用7.阻抗匹配8.延迟线9.耦合与隔直10.形成磁场11.电源滤波器2.3.2电感器的主要技术参数1.标称电感量2.允许误差3.额定工作电流4.品质因数5.分布电容2.3.3电感器的种类1.立式密封固定电感器2.卧式密封固定电感器3.可调

2、电感器4.磁珠•固定电感•可变电感•变压器脉冲变压器匹配变压器阻抗变换变压器电源变压器2.3.4电感器的应用1.根据电路要求选用电感器2.据误差要求，按系列值选用电感器3.电流值要减额4.注意品质因数——Q值5.在LC去耦时，考虑直流电阻6.感抗XL=2πfL7.感性负载驱动图2.3.14感性负载的驱动补充-元件值的表示方法容量：精度：±5％耐压：63V阻值：精度：5％功率：5W•直标•数码---有效数字---“0”的个数阻值：精度：±5%容量：精度：±20%耐压：1000V•色码颜色数字倍率偏差(%)棕红橙黄绿蓝紫灰白黑无色银金阻值：精度：±5％阻值：精度：±2％习惯标

3、识电容省略F用无倍率符号表示电阻省略用无倍率符号表示电感通常不省略补充-连接器1.矩形连接器2.D形连接器3.IC插座4.压接端子排5.插接端子排6.跳线开关2.4晶体管2.4.1硅二极管和硅整流桥1．硅整流二极管硅整流二极管除主要用做电源整流外，如图2.4.1所示还可以做限幅、钳位、保护、隔离等多种灵活应用。返回图（c）中J为电磁继电器线圈，二级管将抑制此感性负载在晶体管T由饱和跳变到截止时所产生的大幅度的反向电动势，从而保护T。图（d）为脉冲微分限幅电路，将在输出削去负尖脉冲。图（e）为RAM数据保持电路。后备银锌电池E=3.6V，在RAM正常工作时，RAM由+5V电

4、源供电，且可通过D对E充电。断电时，RAM由E供电，D将E和电路+5V端隔离。图（f）为RC充放电电路。充电通过D1R1进行，而放电则通过D2R2进行。图2.4.12．高速开关管检波二极管和整流管不同之处在于工作在小信号、高频率的电路中，如各种检波器。故其电流小，结电容小，工作频率高。3．硅整流桥常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三相全桥几种，如图2.4.2所示。其中单相全桥在小功率整流电流中应用广泛，而三相全桥则在电力整流器、逆变器等大功率设备中使用。常见硅整流桥的外形4．肖特基（Schottky）二极管肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，其制造工艺与TTL电路相

5、类似，工艺步骤比较复杂。它不是利用PN结的单向导电性，而是利用势垒的整流作用和多数载流子导电，因而没有少数载流子的存储效应。因此具有反向恢复时间短（最低可达10ns）和正向压降低（可达0.2V）的突出优点。它主要用于开关稳压电流做整流和逆变器中作续流二极管。5．快恢复（FastRecovery）二极管快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利用PN结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。它的扩散深度及外延层（外延型）可以精确控制，因而可获得较高的开关速度，同时，在耐压允许范围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。它的反向时间约为0.2～0.75s。和肖特基二极管相比，

6、其耐压高得多。它主要也用在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高效率和减少噪声。高速恢复二极管反向恢复时间可达25ns。设计电路选用各种二极管时应注意以下几点：（1）电流减额电流减额因子S≤0.5。如图2.3.1（a）的全波整流电路，若通过负载RL的平均电流IL<0.5A，则应选择平均整流电流≥1A的普通硅整流二极管，如1N4000系列。（2）注意浪涌电流在某些应用场合，如图2.3.1（f）中的充放电电路，在开始充电瞬间通过D1的电流最大，选管时应予注意。（3）反向峰值电压图2.3.1（a）中整流二极管承受的最高反向电压VR=1.4V（V为变压器Tr次级绕组电压的有效

7、值）。选管时应充分考虑电压减额。（4）正向管压降在低电压大电流的整流电路里，整流二极管的管压峰不能忽略。对于图2.3.1（e）的隔离二极管D，若希望RAM的VCC>4.8V，则可以选用正向压降在0.1～0.2V之间的肖特基二极管。（5）工作频率二极管的最高工作频率与其结构与工艺密切相关，例如普通硅整流管PN结为平台结构，结电容大，正向整流大，工作频率低。2AP型锗二极管为点接触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。（6）反向漏电流2.4.2半导体三极管1．常用小功率半导体三极管金属封装塑料封装贴片三极管贴片2．通用功率管塑料