电子器件验细则.doc

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1、浙江泰康电子有限公司企业标准Q/AVU2.J041-2007电子器件检验细则批准：日期：2007-3-20发布2007-3-20实施　　　浙江泰康电子有限公司发布电子器件检验细则Q/AVU2.J041-20071.总则及范围　　　　本检验细则根据我公司的具体情况而编制，适用于所有电子产品有源器件的初检（入库检验）和老化试验后的复测。未经检测或不合格品严禁入库、发放和组装。2.外观质量2.1器件的型号、商标等表面标识应清晰可见。2.2封装表面平滑、完整、引脚光亮，无缺损、氧化和绣蚀现象。2.3外形、安装尺寸须符合封装标准。3.测试

2、条件VF（M）和VCE（Sat）分别为二极管的（最大）正向导通压降和三极（MOS、IGBT、SCR）管的饱和导通压降，右侧为最大电流，要尽可能选择接近它的档位进行该项目检验。4.老化试验4.1电子器件初检合格后须进行高低温循环老化试验，时间总计8小时。4.2低温试验温度为-40+5℃，高温试验温度为60+5℃，循环时间各为2小时。4.3温度试验设备采用GDJS-100型高低温交变湿热试验箱。5检验方案采用GB/T2828.2-2003正常一次检验方案，接收质量限AQL＝0.40、检验水平IL＝11图形封装名称型号检验项目技术要求

3、检测手段开关二极管IN4148/4448正向：VFM/450mA反向击穿电压VBR≤0.65V≥100VJL294-3型晶体管直流参数测试表整流二极管IN4007，6A10SJ56RAGWP37A4G4.LG5B2E29.105GU3-1正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正向：VFM/1A，6A反向击穿电压VBR正

4、向：VFM/0.5A，反向击穿电压VBR正向：VFM/0.5A反向击穿电压VBR≤0.7V≥1400V≤0.7V≥600V≤0.7V≥180V≤0.7V≥180V肖特基二极管S44148正向：VFM/2A反向击穿电压VBR≤0.3V≥60V快恢复二极管正向：VFM/100mA≤3.0VERA34-10反向击穿电压VBR≥1500V快恢复对管CTL12/22/32S快恢复对管FMXS/G/U-22S08GS、A7、A4A4t正向：VFM/5/10/20A反向击穿电压VBR正向：VFM/8A反向击穿电压VBR≤0.5V≥200V≤0

5、.45V200/350/450V快恢复二极管DS（E）I60-10A正向：VFM/60A反向击穿电压VBR≤0.6V≥1500V超快恢复二极管Uo76正向：VFM/300mA反向击穿电压VBR≤0.55V≥1000VLED发光二极管正向：VFM/10mA反向击穿电压VBR1.8/2.2/5/6V图形封装名称型号检验项目技术要求检测手段0.5W玻封稳压管HZ3B1/2.8-3VC3V0/3VIN4689/5.1VIN4691/6.2VIN4702/15VIN4711/27V正向导通压降VF反向稳定电压VZ测试电流：IZ＝5-10m

6、A0.6-0.7V标称值±5％V2.85-3.15V4.85-5.35V5.89-6.51V14.2-15.7V25.7-28.3V稳压电源专用测试台1W玻封稳压管IN4733A/5.1VIN4734A/5.6VIN4735A/6.2VIN4739A/9.1VIN4740A/10VIN4745A/16VIN4752A/33VCC097227正向导通压降VF反向稳定电压VZ测试电流：IZ＝5-10mA0.6-0.7V标称值±5％V4.85-5.35V5.32-5.88V5.89-6.51V8.65-9.55V9.5-10.5V15

7、.2-16.8V31.4-34.6V2DW231/0.2W1、2脚有色点的为负，另一脚为正，3脚备用。5.8-6.6V单相整流桥QL-40A正向：VFM/40A反向击穿电压VBR≤2V≥150VJL294-3型晶体管直流参数测试表单相整流桥75L6P43K正向：VFM/40A反向击穿电压≤2V≥150VPNP型硅三极管9012、901585502SA73343.8E、F23、P37、D571、DTC143EKA(F23)F23.47、1GM.2、直流放大倍数hEF击穿电压BVCEOVCE(Sat)/500、50mA击穿电压BVC

8、EOVCE(Sat)/1A击穿电压BVCEOVCE(Sat)/0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat)/0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat)/0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat)/0.1A击穿电压BVCEOVCE(Sat)/0.1A击穿电压BVCE