半导体材料的制备.ppt

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1、半导体材料的制备半导体级硅用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅，有时也称为电子级硅，硅是做半导体器件的一种很好的材料。为了器件的需要，就要把它制作成想要的晶向、适量的掺杂浓度和半导体硅片制备所需的物理尺寸。单晶硅材料制备流程原料（石英石-二氧化硅）——粗硅——四氯化硅——高纯四氯化硅——高纯多晶硅——单晶硅硅棒——单晶定向切片——研磨——抛光——清洗——检查——包装粗硅的形成：四氯化硅的形成：高纯多晶硅的形成：高纯四氯化硅的提纯采用精馏提纯技术基本原理，将待提纯的原料置于一被称为“精馏塔”的装置中，对其进行反复的蒸馏，根据杂质的沸点不同，具有不同的挥发能力，进而实现各元素的分离。装置：筛板塔组成

2、部分蒸馏釜体用于盛装原料精馏塔柱是装置的核心部分内部由筛板组成冷凝器气化物质进过冷凝为液化回流管出料口精馏塔装置示意图晶体的生长方式固相生长方式通过固——固相转变完成的晶体生长方式的过程，如石墨变成金刚石。液相生长方式包括溶液中生长和熔体中生长GaAs外延为溶液中生长，硅单晶为熔体中生长。气相生长方式由气相向固相的转变过程单晶硅硅棒生长指把半导体级硅制作成需要晶向、掺杂浓度和所需尺寸的硅锭，有区熔法和直拉法两种。区熔法它所生产的单晶硅锭含氧非常少，能生产目前最纯的硅单晶，直径比直拉法小。籽晶固定到一端然后放进生长炉中，用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域，由于不用坩埚，硅纯度高且含氧量低。直拉

3、法把溶化了的半导体级硅液体变为正确晶向并且被参杂成n型或者是p型的固体硅锭，属于液相生长。目的：是实现均匀参杂浓度的同时精确地复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径影响直拉法的主要参数：拉伸速度和晶体旋转速度。直拉单晶生长过程引种就是将满足正确晶向的单晶硅与熔硅接触并控制引晶的温度缩颈通常采用高温熔接低温快速细长缩颈放肩阶段指从缩颈到要求长度后将晶体放大到所需直径的这一段时间的操作过程等经生长放肩至接近所需直径时，适当升温、增加提拉速度，使晶体圆滑的转入等直径生长收尾阶段直拉单晶生长工艺步骤籽晶放在熔体表面并在旋转过程中缓慢的拉起，它的方向与坩埚的旋转方向相反，熔体上的液体因为表面张力而提高掺杂为

4、了得到所需的电阻率的晶体，掺杂材料被加到单晶炉的熔体中，常用的掺杂杂质为三价硼五价磷。杂质控制主要是控制杂质氧整形处理去掉两端径向研磨（产生精确的直径）硅片定位边或者定位槽（表示硅片的径向和结构）切片产生符合要求厚度的硅片外圆切割机适合于大直径的硅片切割内圆切割机内圆切割机先定向后切割优点：较稳定，能产生平整的切面研磨和倒角研磨：去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦，复合平整度要求的硅片倒角：获得平滑的半径周线，在硅片边缘的裂痕和小裂缝会在硅片上产生机械应力并会产生位错抛光是一种表面全局平坦化技术，通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面目的：符合光洁度指标要求的硅片

5、纯化学抛光纯机械抛光化学机械抛光质量检测物理尺寸为了达到芯片生产中器件制造的要求以及适合制造厂自动传诵设备的要求平整度平整度是硅片最主要的参数之一，因为光刻工艺对局部位置的平整度是非常敏感的含氧量控制硅锭中的含氧量是非常重要的，而且随着更大的尺寸，难度也会越大，少量的氧起到俘获中心的作用，能束缚硅中的玷污，过多的氧会导致PN结漏电流增加晶体缺陷颗粒晶体表面的颗粒数量应加以控制，使在芯片制造中的成品率损失降到最底，体电阻率硅锭的体电阻率依赖于在晶体生长前掺杂到熔体中的杂质浓度单晶制备过程中的缺陷在单晶制备和器件制造过程中，造成的硅单晶中一些原子的排列发生错乱称为单晶缺陷。主要来自于晶体生长条件

6、的不良影响造成的位错缺陷、微缺陷、晶粒间界等减小缺陷密度是提高硅片成品率的重要方面点缺陷：空位缺陷，间歇缺陷，弗朗克缺陷位错在晶胞形成重复性结构时，发生错位。可以再晶体生长和硅片制备中的任意一个阶段产生。层错与晶体结构相关，经常发生在晶体生长过程中