放大电路失真现象研究12213010.doc

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1、国家电工电子实验教学中心模拟电子技术实验报告实验题目：放大电路的失真研究学院：电子信息工程学院专业：电子科学与技术学生：学号：任课教师：侯建军*黄亮2014年5月20日目录实验题目：放大电路的失真研究01实验题目及要求12实验目的与知识背景23实验过程23.1选取的实验电路及输入输出波形23.2每个电路的讨论和方案比较94总结与体会155参考文献201实验题目及要求（写明实验任务要求，可复制题目原文。）1、基本部分（1）输入一标准正弦波，频率2kHz，幅度50mV，输出正弦波频率2kHz，幅度1V。

2、（2）放大电路输入是标准正弦波，其输出波形失真（顶部、底部、双向、交越失真），若达到要求，如何设计电路，并修改。2、发挥部分（1）放大电路输入是标准正弦波，其输出波形出现不对称失真。（2）任意选择一运算放大器，测出增益带宽积fT。并重新完成前面基本要求和发挥部分的工作。（3）将运放接成任意负反馈放大器，要求负载2kΩ,放大倍数为1，将振荡频率提高至fT的95%，观察输出波形是否失真，若将振荡器频率提高至fT的110%，观察输出波形是否失真。（4）放大倍数保持100，振荡频率提高至fT的95%或更高一

3、点，保持不失真放大，将纯阻抗负载2kΩ替换为容抗负载20mF，观察失真的输出波形。（5）设计电路，改善发挥部分（4）的输出波形失真。3、附加部分（1）设计一频率围在20Hz～20kH语音放大器。（2）将各种失真引入语音放大器，观察、倾听语音输出。4、失真研究（1）由单电源供电的运算放大器电路会出现哪种失真？（2）负反馈可解决波形失真，解决的是哪类失真？（3）测量增益带宽积fT有哪些方法？（4）提高频率后若失真，属于哪类失真？（5）电阻负载改成大容性负载会出现什么失真？（6）有哪些方法可以克服电阻负载

4、改成大容性负载出现的失真？（7）用场效应管组成的放大电路或运算放大器同样会产生所研究的失真吗？（8）当温度升高，晶体管组成的电路刚刚产生静态工作点漂移，使电路产生某种失真，此时由场效应管组成的电路也同样失真吗？为什么？（9）归纳失真现象，并阐述解决失真的技术。2实验目的与知识背景2.1实验目的（1）掌握失真放大电路的设计和解决电路的失真问题——提高系统地构思问题和解决问题的能力。（2）掌握消除放大电路各种失真技术——系统地归纳模拟电子技术中失真现象。（3）具备通过现象分析电路结构特点——提高改善电路

5、的能力。2.2知识点（1）截止失真、饱和失真、双向失真、交越失真等。（2）射极偏置电路、乙类、甲乙类功率放大电路和负反馈电路。（3）克服各种失真的技术。3实验过程3.1选取的实验电路及输入输出波形1、基本部分（1）输入一标准正弦波，频率2kHz，幅度50mV，输出正弦波频率2kHz，幅度1V。电位器位于15%位置分析知道，其增益为：正常放大实验图（2、3、4）设计电路使电路输出波形顶部、底部、双向失真，并改进。对于射级偏置电路，当静态工作点太低（电位器位于15%以下）时，导致输出波形失真，则为截止失

6、真；当静态工作点太高（电位器位于55%以上）时，导致输出波形失真，则为饱和失真；当输入信号太大时，可能使被放大的信号同时在饱和区与截止区，这就产生了双向失真。顶部失真实验图底部失真实验图双向失真实验图（5）设计电路使电路输出波形交越失真，并改善。此输出波形为交越失真。我们可以采用乙类功率放大器，改进时使用甲乙类功率放大器。交越失真实验图交越失真改善图2、发挥部分（1）放大电路输入是标准正弦波，其输出波形出现不对称失真。不对称失真是因为晶体管等元器件的非线性特性而引起的失真不对称仿真图不对称改善图不对

7、称失真电路图不对称失真实验对比图（2）选择一运算放大器LM324Na.增益带宽积表示增益和带宽的乘积，因此，我们测量增益带宽积fT时，可以根据定义来测量，即先测量中频增益，然后测量带宽。J2断开，测出增益带宽积fT；电路频率仿真图及计算过程b.用运放设计电路实现饱和，截止，双向失真J2闭合，利用J1和电位器来控制工作点，并产生顶部、底部失真；加大输入电压，将产生双向失真。运放顶部失真（按下开关后改变偏置出现底部失真）运放双向失真电路图（3）将运放接成任意负反馈放大器，要求负载2kΩ,放大倍数为1，将

8、振荡频率提高至fT的95%，观察输出波形是否失真，若将振荡器频率提高至fT的110%，观察输出波形是否失真。J1接通1k电阻，J2接通2k电阻通过示波器测量，当振荡器频率提高至fT/100的95%，观察输出波形没有失真，若将振荡器频率提高至fT/100的110%，观察输出波形失真。（4）放大倍数保持100，振荡频率提高至fT的95%或更高一点，保持不失真放大，将纯阻抗负载2kΩ替换为容抗负载20uF，观察失真的输出波形。J1接通100k电阻，J2接通20uf电容通过示