离子注入装备发展趋势.pdf

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1、电子工业专用设备EguipmentforElectronicProductsManufacturing"趋势与展望"离子注入装备发展趋势龚杰洪,张彬庭,伍三忠(中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙410111)摘要!简述了现代集成电路制造工艺的发展状况!详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案"关键词!离子注入;等效掺杂;大角度注入;低能大束流中图分类号!TN305.3文献标识码!A文章编号!1004-4507(2006)11-0005-04TheCurrentDevelopm

2、entofIonImplantationEguipmentGONGJie-hong,ZHANGBin-ting,WUSan-zhong(48thResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyGroupCorp.,Changsha410111,China)Abstract!Thepaperdepictedbrieflythedevelopment.situationofthecurrentICfabricationprocess,andintroducedthecha

3、llengeandresolutionoftheionimplantationprocessrelativelyvarioustechnolog-icnode.Keywords!IonImplantation;Largetiltimplantation;LoWenergy_highcurrent1引言此，大力提升半导体设备制造水平，加强基础研究，实现若干关键共性技术的突破，培养出一支高素质近几年，国内电子信息产业蓬勃发展，电子信息的人才队伍，建立和完善我国电子元器件制造设备产品需求巨大，造就了半导体设备庞大的

4、市场，促使技术创新体系。增强自主创新能力，从而实现半导体我国半导体设备产业快速升温。但与快速发展的电设备、电子元器件、电子信息产品整体协调快速的发子信息产业相比，半导体设备制造业的发展却相对展己成为我国半导体设备制造业迫在眉睫的任务。缓慢，我国的半导体设备制造业无论是技术上还是规模上都不尽如人意。制造电子信息产品的关键工2国内外集成电路制造发展现状及发展趋势艺设备几乎都是从国外引进，这样不仅国家每年要花费大量外汇，而且电子专用设备制造业的整体水2.1大规模集成电路半导体设备的发展现状及发平得不到提高。半导体设

5、备制造业发展的滞后严重展趋势制约着我国电子信息产品尤其是元器件制造水平的世界集成电路产业的发展十分迅速。目前集成提高和产业化发展，导致元器件开发缺乏后劲，因电路大生产的主流技术为!200mm、0.18"m，正收稿日期!2006-11-01作者简介:龚杰洪（1968.9.22）,男，湖南长沙人，高级工程师，本科，就职于中国电子科技集团公司第四十八研究所，主要从事半导体专用设备技术研究。!"#!"###（总第!!"期）5电子工业专用设备#趋势与展望#EguipmentforElectronicProductsMa

6、nufacturing在向!300mm、0.13"m过渡。国际半导体技术指设备（包括对半导体芯片进行曝光、离子注入掺杂、南（InternationalTechnologyRoadmapforSemicon-刻蚀、薄膜生长等工艺加工的设备，以及测量设备）ductor，ITRS）（2005版）确定的半导体技术发展路和材料制备设备。线图如表1所示。2006年7月在1年一届的SEMICONWeSt展会上，SEMI公布表1国际半导体技术发展路线图!ITRS"!2005年版"了其年度中期半年份20062007200820

7、09201020112012201320142015201620172018导体设备资本支技术节点/nm70655750453532252218出预期，随着2005晶圆尺寸/mm300450450年预期11.3%的金属层数（更新）10101010121212121313141414下降，设备市场在设计线宽尺寸2010年将减小到45nm，20132006年将迎来18%的增长，达到388亿美元。2006年将减小到32nm，布线层数将达到12层。集成电年，中国的新设备市场将呈现突出的增长趋势，其路的集成度越来越高，

8、结构越来越复杂，存储速度市场预期增长将达到78%，其他地区将增长23%，越来越快，对材料性能的要求也越来越苛刻。由于台湾地区将增长22%，北美地区将增长21%。在欧尺度空间的减小，传统的微细加工方法以及半导体洲的设备销售预期将实现14%的增长，同时韩国和专用设备己经不能满足集成电路快速发展的需求，日本也将实现接近两位数的增长。开发新一代半导体专用设备势在必行。目前国际上ICS制表2半导体设备销售预测