模拟IC模块设计.ppt

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1、第三讲模拟IC及其模块设计浙大微电子韩雁2010.31浙大微电子内容模拟IC设计需要具备的条件模拟IC设计受非理想因素的影响带隙基准源的设计运算放大器的设计电压比较器的设计过温保护电路的设计欠压保护电路的设计2浙大微电子1、模拟IC设计需要具备的条件电路设计软件及模型电路图绘制电路仿真（验证）SPICEMODEL（工艺）版图设计软件及验证文件版图绘制设计规则检查（DRC）版图-电路图一致性检查（LVS）后仿真寄生参数提取（Extract）3浙大微电子DRC验证文件(DesignRuleCheck)ivIf(switch("drc?")then；条件转移语句，选择是否运行drcivIf(sw

2、itch("checkTechFile")thencheckAllLayers())；N阱规则检查ivIf(switch("nwell")

3、

4、switch("all")then；条件转移语句，选择是否检查N阱drc(nwellwidth<4.8"1.a:Minimumnwellwidth=4.8")；检查N阱宽度是否小于4.8umdrc(nwellsep<1.8"1.b:Minimumnwelltonwellspacing=1.8")；检查N阱之间的最小间距是否小于1.8umdrc(nwellndiffenc<0.6"1.c:nwellenclosurendiff=0.6")；检查N阱过覆盖

5、N扩散区是否大于0.6umdrc(nwellpdiffenc<1.8"1.d:nwellenclosurepdiff=1.8")；检查N阱过覆盖N扩散区是否大于1.8umsaveDerived(geomAndNot(pgatenwell)"1.e:pmosdevicemustinnwell"))；检查pmos是否在N阱内4浙大微电子LVS验证文件(LayoutVersusSch.)lvsRules(procedure(compareMOS(layPlist,schPlist)；比较MOS管的属性prog(()if(layPlist->w!=nil&&schPlist->w!=niltheni

6、f(layPlist->w!=schPlist->wthensprintf(errorW,"Gatewidthmismatch:%gulayoutto%guschematic",float(layPlist->w),float(schPlist->w))return(errorW)))if(layPlist->l!=nil&&schPlist->l!=nilthenif(layPlist->l!=schPlist->thensprintf(errorL,"Gatelengthmismatch:%gulayoutto%guschematic",float(layPlist->l),float(

7、schPlist->l))return(errorL)))return(nil)))5浙大微电子Extract（寄生）器件、参数提取文件drcExtractRules(ivIf(switch("extract?")then；定义识别层ngate=geomAnd(ndiffpoly)pgate=geomAnd(pdiffpoly)；提取器件extractDevice(pgatepoly("G")psd("S""D")"pmosivpcell")extractDevice(ngatepoly("G")nsd("S""D")"nmosivpcell")6浙大微电子2、模拟IC设计受非理想因素的影响

8、（1）PVT(制造工艺、工作电压、环境温度)P(制造工艺)ttffsssffs五个工艺角V(工作电压)偏差士10%T(环境温度)民品（0°-75°C）工业用品（-25°-85°C）军品（-55°-125°C）N+N+P7浙大微电子模拟IC设计受非理想因素的影响（2）寄生电感电容电阻的影响互感连线电阻结电容、连线电容（线间、对地）8浙大微电子3、带隙基准源的设计令：推导公式如下：9浙大微电子带隙基准源温度特性10浙大微电子带隙基准源输出与电源电压关系11浙大微电子带隙基准源电源抑制比12浙大微电子4、运算放大器的设计(差模输入输出)两级放大，共源共栅输入，共模反馈，Miller电容零极点补偿1

9、3浙大微电子带有共模反馈的运算放大器两级放大，共源共栅输入，共模反馈，Miller电容零极点补偿14浙大微电子运放的单位增益带宽与相位裕度15浙大微电子5、电压比较器的设计要求有较高的灵敏度。通常把比较器能有效比较的最低电平值定义为灵敏度。要求有较高的响应速度。一般比较器的响应时间和它的转换速率及增益带宽有关。要求有良好的稳定性。要求有良好的工艺兼容性。16浙大微电子比较器的性能参数有：灵敏度输入失调电压输入