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时间:2020-06-19
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1、模拟电路习题解答第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。()解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5
2、)√(6)×三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V,UO6≈-2V。1.4电路如图P1.4所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。1.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7
3、V和14V等四种稳压值。(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.9已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?解:(1)当UI=10V和UI=15V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流都小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故当UI=35V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以UO=UZ=6V(2)29mA>IZM=25mA,
4、稳压管将因功耗过大而损坏。1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。第二章基本放大电路自测题二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。解:(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能。(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e)不能。因为输入信号被C2短路。(f)不能。因为输出信
5、号被VCC短路,恒为零。(g)可能。(h)可能。(i)不能。因为T截止。三、在图T2.3所示电路中,已知VCC=12V,晶体管的=100,Rb’=100kΩ。填空:要求先填文字表达式后填得数。2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。2.3画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示;2.7电路如图P2.7所示,晶体管的=80,rbb’=100Ω。分别计
6、算RL=∞和RL=3kΩ时的Q点、Au、Ri和Ro。解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、rbe均相等,它们分别为空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为RL=5kΩ时,静态管压降、电压放大倍数分别为练习:在图P2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图P2.8(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。解:(a)饱和失真,增大Rb。(b)截止失真,减小Rb。(c)同时出现饱和失真和截止失真,应增大VCC。2.10已知图P2.10所示电路中晶体管的=100,rbe=1kΩ。(
7、1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估算Rb约为多少千欧;(2)若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻RL为多少千欧?(2)求解RL:2.13电路如图P2.13所示,晶体管的=100,rbb’=100Ω。(1)求电路的Q点、Au、Ri和Ro;(2)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?动态分析:2.18电路如图P2.18所示,晶体管的=80,rbe=1kΩ。(1)求出Q点;(2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的和Ri;(3)求出Ro。2.19电路如图P2.19所示,晶体管的=60,rbb’=100
8、Ω。(1)求解Q点、Au、Ri和Ro;(2)设Us=10mV(有效
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