温度对iv测试的影响

《温度对iv测试的影响》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、温度对IV测试的影响组件工艺部2目录一、温度对组件电性能的影响二、测试仪对温度的补偿三、温度对组件测试结果的影响四、不同温度下组件功率测试对比数据318June2021一、温度对组件电性能的影响正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低418June2021二、测试仪对温度的补偿在不同温度下测试，测试仪对组件功率进行补偿例（以260W多晶组件温度由25℃升至26℃为例）：P=260+（26-25℃）*260*（-0.43%/℃）=258.882W即：功率

2、为260W的组件，温度升高1℃后功率降低1.118W，测试仪会对该组件补偿1.118W。组件温度补偿系数：组件类型多晶硅组件单晶硅组件短路电流温度补偿系数(αIsc)+0.062%/℃+0.049%/℃开路电流温度补偿系数(βVoc)-0.330%/℃-0.340%/℃最大功率温度补偿系数(γPmp)-0.450%/℃-0.430%/℃518June2021三、温度对组件测试结果的影响组件测试温度要求25±2℃，湿度≤70%，要求测试保持恒温恒湿，温度波动大可能导致组件表面温度与组件内部电池片温度差异较大

3、，或温度不均；测试仪的温度补偿将出现判断错误，导致最终功率值发生偏差。例如：假设1件多晶组件在25℃下标准测试结果为250W，他在以下不同温度下将出现不同测试结果（以下为理论过程）组件内部温度背板温度结果(W)结果判定可能情况25℃25℃250OK组件与背板温度一致23℃23℃250OK组件与背板温度一致23℃25℃252.25虚高NG背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致25℃23℃247.75偏低NG背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致备注测试仪是通过组件背板温度来进行补偿的，背板温度与

4、组件内部温度差别大会导致测试仪出现补偿错误;618June2021四、不同温度下组件功率测试对比数据数据分析：1、21℃下功率偏差较大，在23℃、25℃、27℃、29℃下测试最大差异均在1W内，差异较小。实验结果：1、Pasan测试仪通过温度补偿系数，组件在（23℃～29℃）下测功率测试差异可以控制在＜1W；2、组件IV测试前至少恒温2小时以上，测试时背板温度要求与保温时温度一致，防止测试仪出现补偿错误，导致测试结果出现偏差。