IC程式烧录器简介.ppt

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1、IC程式燒錄器簡介(Programmer)基本IC記憶體的分類:RAM系列(RandomAccessMemory)隨機存取記憶體SRAM---靜態(Static)RAMDRAM---動態(Dynamic)RAMSDRAM:(Synchronous)DRAM系列ROM系列(ReadOnlyMemory)唯讀式記憶體MaskROM(光罩式唯讀記憶體)●PROM(可編程式唯讀記憶體)●EPROM(擦拭式可編程唯讀記憶體)●EEPROM(電氣拭除式可編程唯讀記憶體)FlashROM(快閃記憶體)Other:PLD(PLA、PAL)可編

2、程邏輯裝置系列一、可燒錄的IC簡介:RAMROM2ROM系列(ReadOnlyMemory)唯讀式記憶體介紹:唯讀記憶體是一般電腦/電子產品中最基本的儲存零件,即使在電源關閉之後,其儲存的內容資料也不會流失,所以通常被使用在需要長期的保存一些重要的程式之上,如BIOS、參數碼等等….。ROM(光罩式唯讀記憶體):指在製造時即將資料製成光罩(Mask),再由此大量的製造,所以其內含的資料是不可更改的PROM(可編程式唯讀記憶體):PROM是由MaskROM改良而成,使用者只要利用燒錄器將記憶體中的熔絲燒斷做編程即可,但只能燒錄一

3、次(同CD-R原理),所以又稱為OTP(OneTimeProgramming)零件一、可燒錄的IC簡介:3PROM燒錄原理如下圖所示,在每一個電晶體的射極都串接一條鎳鉻鐵合金保險絲,當規劃(燒製)資料時,若解碼到的資料線Dn輸入較高的電壓者,造成高電流將熔絲將被燒斷,輸入為“0”者熔絲將保持接通。當正常使用時Dn是做為輸出線使用,被解碼到的電晶體,其射極保險絲燒斷者Dn輸出為“1”,否則為“0”。由於PROM只能燒錄一次,在製作前要格外謹慎,燒錄電壓並不統一是它的缺點,但裝填密度較EPROM或EEPROM高是它的優點。一、可燒

4、錄的IC簡介:4EPROM(拭除式可編程唯讀記憶體):其材料主要是由MOSFET(金氧半場效應電晶體)所構成,所以在燒錄之後若需要重燒時,可利用紫外線照射加以清除資料,所以EPROM的外觀特色即有一玻璃窗,一般已燒有程式的會以不透光的錫箔貼紙做遮罩,來加以保護內存資料,不過EPROM重覆燒錄的壽命週期不長(10~100次)一、可燒錄的IC簡介:5商用的EPROM是使用一種浮接閘極累增注入式金氧半導體(floatinggateavalancheinjectionMOS,FAMOS)做為儲存細胞元。基本原理是規劃燒錄時(如下圖),

5、在FAMOS的G2端加以高電壓Vpp(12V~25V脈波),若此細胞元被解碼且汲極電壓為Vcc,源極電壓為0時,則在FAMOS浮接閘與基底接面產生崩潰效應,誘導出熱電子(高能電子),此熱電子在Vpp電壓去除後沒有放電路徑而屯積在浮接閘中,導致N通道MOS的源-汲極間截止,這就像PROM的熔絲被燒斷一樣。若想清除浮接閘上的電荷,可用紫外光照射10~20分鐘,浮接閘電荷得到能量後從基底放電,源-汲極就可以恢復導通一、可燒錄的IC簡介:6EEPROM(電氣拭除式可編程唯讀記憶體):上一頁所介紹的EPROM是利用電氣信號做寫入動作,而

6、清除則必須靠UV照射,使用上十分不便,所以EEPROM就是改良成可利用電氣信號直接做寫入與清除的功能,不過缺點為單價過高,此類產品已廣泛使用在電腦、通訊等消費性電子產品之中FlashROM(快閃記憶體):FlashROM是EEPROM的一種,其不同處在於將整個浮動閘極與通道間的距離做得更薄,使得寫入的時間可達10μS以下,清除的次數則可高達十萬次以上,這類記憶體元件稱為主要讀取記憶體(readmostlymemory),應用於數位相機、數位錄音機、記憶型的IC卡以及取代EPROM的電路中。一、可燒錄的IC簡介:7EEPROM改

7、良了EPROM以紫外光清除資料的方式,將浮接閘接以較高的電壓來清除資料EEPROM的清除狀態,控制閘極加0V,P型井端子加以+17V的電壓,浮接閘的電子將以穿透效應進入P型井而放電。8FlashROM的各種包裝型式:FC(FlashCard)TSOP/CSP/PLCC..一、可燒錄的IC簡介:9Features(Example:)Win98/95Win2000support.--------作業平台ParallelPortInterface.--------界面型式Support5V,3.3Vand2.7VchipinVCCa

8、ndI/O.---系統支援的規格Supportover1300chips.--------系統支援容量Fastprogrammingspeed.--------特性Portability(lessthen500g).SupportmostpopularEPROM/Flash,

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