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时间:2020-06-14
《电子线路 陈其纯 第二章 三极管及场效应管.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第2章 晶体三极管和场效晶体管本章学习目标2.1晶体三极管2.2场效晶体管本章小结本章学习目标理解晶体管的结构和分类,熟悉其外形、图形符号。掌握三极管电流分配关系。掌握三极管的输入特性、输出特性及三种工作状态,了解其主要参数。掌握用万用表对三极管进行测试的方法。了解场效晶体管的类型及工作原理,熟悉其图形符号,理解其转移特性和输出特性,了解其使用的注意事项。2.1晶体三极管2.1.1三极管的结构、分类和符号2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式2.1.3三极管内电流的分配和放大作用2.1.4三极管的输入和输出特性2.1.5三极管主要参数2.1
2、.6三极管的简单测试2.1晶体三极管晶体三极管:是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。特点:管内有两种载流子参与导电。2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1.三极管的外形特点:有三个电极,故称三极管。2.三极管的结构三极管的结构图特点:有三个区——发射区、基区、集电区;两个PN结——发射结(BE结)、集电结(BC结);三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C);两种类型——PNP型管和NPN型管。工艺要求:发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比发射区体积大且掺杂少。二、晶体三极管的符号三
3、极管符号箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。文字符号:V三、晶体三极管的分类1.三极管有多种分类方法。按内部结构分:有NPN型和PNP型管;按工作频率分:有低频和高频管;按功率分:有小功率和大功率管;按用途分:有普通管和开关管;按半导体材料分:有锗管和硅管等等。2.国产三极管命名法:见《电子线路》(陈其纯主编)P261附录。例如:3DG表示高频小功率NPN型硅三极管;3CG表示高频小功率PNP型硅三极管;3AK表示PNP型开关锗三极管等。2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用是放大电信号。三极管工
4、作在放大状态的外部条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。三极管电源的接法三极管电源的接法V为三极管GC为集电极电源GB为基极电源,又称偏置电源Rb为基极电阻Rc为集电极电阻。二、晶体三极管在电路中的基本连接方式有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。三极管在电路中的三种基本连接方式2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系测量电路如图调节电位器,测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表所示。因IB很小,则ICIEIE=IC+IB由表可见,三极管中电流分配关系如下:IB/mA-0
5、.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96说明:1.IE=0时,IC=-IB=ICBO。ICBO称为集电极——基极反向饱和电流,见图2.1.7(a)。一般ICBO很小,与温度有关。2.IB=0时,IC=IE=ICEO。ICEO称为集电极——发射极反向电流,又叫穿透电流,见图(b)。ICEO越小,三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。ICBO与ICEO示意图二、晶体三极管的电流放大作用当基极电流IB由
6、0.01mA变到0.02mA时,集电极电流IC由0.56mA变到1.14mA。上面两个变化量之比为这说明,当IB有一微小变化时,就能引起IC较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用。比值用符号来表示,称为共发射极交流电流放大系数,简称“交流”,即结论:1.三极管的电流放大作用——基极电流IB微小的变化,引起集电极电流IC较大变化。2.交流电流放大系数——表示三极管放大交流电流的能力4.通常,,所以可表示为考虑ICEO,则3.直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的能力2.1.4三极管的输入和输出特性一、共发射极输入特性曲线集射极
7、之间的电压VCE一定时,发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。共发射极输入特性曲线由图可见:1.当VCE≥2V时,特性曲线基本重合。2.当VBE很小时,IB等于零,三极管处于截止状态。共发射极输入特性曲线4.三极管导通后,VBE基本不变。硅管约为0.7V,锗管约为0.3V,称为三极管的导通电压。5.VBE与IB成非线性关系。3.当VBE大于门槛电压(硅管约0.5V,锗管约0.2V)时,IB逐渐增大,三极管开始导通。二、晶体三极管的输出特性曲线基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。动画晶体三极管的输出特性曲线输出特性
8、曲线可分为三个工作区:1.截止区条件:发射结反偏或两端电压为零。特点:IB=0,IC=ICEO。2.饱和区条件:发射结和集电结均为正偏。特点:VCE=VCES。VC
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