c8051f单片机使用注意事项

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1、C8051F单片机使用注意事项（原创）由于C8051F单片机是3.3V低功耗、高速单片机，与大家过去应用传统的5V供电低速单片机在引脚处理与PCB布板方面会有一些区别，我们总结了这方面的经验，提供给大家。以避免在应用设计上走弯路。一、电源和地线方面的处理1、模拟电源和数字电源要分别供电，可以使用两个稳压电源分别供电，但是两个电源之间的电压差必须满足数据手册中的规定（<0.5V，相差0.3V是比较理想的）。实际应用中模拟电源和数字电源可以来自同一个稳压器的输出，只AV+与VDD之间接简单的滤波器也是很有效的。这里要加一个小电感，也可

2、以用底阻值的电阻（通常2欧姆，电阻要有足够的寄生电感。）这种方式既能降低成本又能减少体积。（关于这一点可以参考C8051F各种目标板的原理图的电源部分）。2、在地线方面，模拟地和数字地要分开布线，然后在一点通过磁珠连接，在实际应用中也可以使用0欧姆电阻连接的。该电阻要有寄生电感，另外，在布线时一定要注意地线应该尽可能的粗，或者采用大面积覆盖地，电源线也要尽量粗，并且在单片机所有电源和地之间以及每个外围集成电路VDD和GND间加去耦合电容。3、如果所使用的器件上有模拟电源，模拟地，数字电源和数字地，所有这些引脚不可以悬空，必须连接。

3、二、对JTAG引脚的处理对电路设计时，JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉电阻值取4.4K。另外，要考虑到在成本阶段（此时已不需要通过JTAG编辑），将所有JTAG引脚用10K电阻下拉到地，这样更能提高系统的抗干扰能力，对于提高系统的稳定性是非常主要的。三、对未用到的IO口/模拟书输入的处理对未用到的IO口建议通过电阻下拉到地。未用的模拟输入也要接地（接模拟到）。四、在电路设计时的IO口/模拟输入口的保护1、在可能对IO口有瞬态冲击的情况下，一定要对IO口进行保护，如可能会有瞬间大电流，就要在IO口上串接限流电阻，建议取值10

4、0欧姆。如有瞬态大电压，就要在IO口上接TVS或快速反应二极管。2、对在产品中使用的模拟输入引脚的输入电平，要在器件的允许范围值内（具体的参数见数据手册）。一般的ADC的输入电压范围是0V～VREF。同时不可以超过器件的极限参数（见数据手册），否则可能造成永久性损坏。具体的做法可以加两个肖特基二极管到电源和地。五、对复位引脚/MONEN（电源监视）引脚的处理1、为了提高系统的抗干扰能力和可靠性，建议不要将复位引脚悬空，推荐电路为：在复位引脚加强上拉，电阻可以选择2～10K，还要加一个.01UF～10UF的去耦电容。2、如果所使用的

5、芯片上有MONEN引脚，此引脚不要悬空，建议直接电源（使能MONEN）。六、外接晶振的注意事项1、选择质量好的晶振、选择损耗小的晶振电容。2、XTAL1和XTAL2口不要接入5V电压，在接入CMOS时钟输入时，要注意。3、晶体震荡电路部分对PCB的板上布局非常敏感，应将晶体尽可能地靠近器件XTAL引脚，并在警惕引脚接上微调（10pF～33pF）电容。步线应尽可能地短并用地线屏蔽，防止其他引线引入噪声或干扰。4、晶体外壳最好接地。5、对于C8051F3XX器件，在外接晶体时，一定不要忘记在晶体两端接10MΩ的电阻。6、晶体微调电容的

6、地要接模拟地。七、焊接温度的注意事项当使用自动焊接时应严格控制以下参数：1、温度速率：小于6℃/秒2、预热区芯片引脚的最大温度：125℃3、回流焊的最大温度：建议215℃到220℃（最大值为235℃）4、芯片通过液态焊料温度状态的时间：30至85秒（建议75秒）5、最大冷却速度：4℃/秒如果使用手工焊接，也应注意电烙铁的温度不易过高，与芯片的接触时间不易过长。关于焊接的详细资料参见附页<<超小型芯片(SMT)焊接指南;QFP和MLP封装器件>>八、编写软件方面的注意事项1、如使用C51编程，在使用指针变量（对FLASH进行写操作）

7、按如下方式定义：Unsingnedcharxdata*idata(或data)pwrite;这样做的目的是确保写FLASH的指针的地址被分配在〈data〉或〈idata>空间。2、不用的代码空间全部清为“0”，这可以在程序跑飞后再重新运行。在跳转指令前加两到三个NOP指令。这样也可以在程序跑飞后重新运行。C8051FTQFP、LQFP和MLP封装器件的焊接方法TQFP和LQFP焊接西安铭朗电子科技公司，现将焊接C8051F生产的TQFP和LQFP器件的焊接方法，介绍给大家，供各位在实际的焊接工作中参考。（1）所需工具和材料合适的工

8、具和材料是做好焊接工作的关键，根据我们的经验，我们推荐选用下面的工具和材料。1、进口焊接，直径为0.4mm或0.5mm。2、电烙铁也是用进口的，要求：烙铁尖要细，顶部的直径在1mm以下，功率为25W（不需选用功率过大的）3、助焊剂-液体型，如购买助