键合技术介绍.ppt

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1、微互连技术——各种微互连方式简介裸芯片微组装技术倒装焊微互连技术压接倒装互连技术目录定义：将芯片直接与基板相连接的一种技术。裸芯片微组装梁式引线法引线连接法倒装芯片法载带自动键合法1.0裸芯片微组装技术1.1载带自动键合法（TAB）定义：将芯片凸点电极与载带的引线连接，经过切断、冲压等工艺封装而成。载带：即带状载体，是指带状绝缘薄膜上载有由覆铜箔经蚀刻而形成的引线框架，而且芯片也要载于其上。载带一般由聚酰亚胺制作，两边设有与电影胶片规格相统一的送带孔，所以载带的送进、定位均可由流水线自动进行，效率高，适

2、合于批量生产。加热键合压头键合凸点芯片送带板芯片载带送片台电子蜡层内侧引线键合操作示意图内侧引线键合好之后进行塑封，然后再封装在基板上IC聚酰亚胺载带引线切断、冲压成型安装焊盘焊料基板热压键合加热键合压头外侧引线键合操作1.2引线连接法（WB）定义：通过热压、钎焊等方法将芯片中各金属化端子与封装基板相应引脚焊盘之间的键合连接。特点：适用于几乎所有的半导体集成电路元件，操作方便，封装密度高，但引线长，测试性差。引线连接技术超声键合法热压键合法热超声键合法引线芯片布线板布线端子1.2.1引线连接法-热压键合

3、（TCB）定义：利用微电弧使φ25~φ50um的Au丝端头熔化成球状,通过送丝压头将球状端头压焊在裸芯片电极面的引线端子,形成第1键合点。然后送丝压头提升，并向基板位置移动，在基板对应的导体端子上形成第2键合点，完成引线连接过程。压头下降，焊球被锁定在端部中央压头上升压头高速运动到第二键合点，形成弧形在压力、温度的作用下形成连接1432第一键合点的形状在压力、温度作用下形成第二点连接压头上升至一定位置，送出尾丝引燃电弧，形成焊球进入下一键合循环夹住引线，拉断尾丝5678第二键合点契形焊点丝球焊点形状球形

4、焊点热压球焊点的外观1.2.2超声键合法（USB）原理：对Al丝施加超声波，对材料塑性变形产生的影响，类似于加热。超声波能量被Al中的位错选择性吸收，从而位错在其束缚位置解脱出来，致使Al丝在很低的外力下即可处于塑性变形状态。这种状态下变形的Al丝，可以使基板上蒸镀的Al膜表面上形成的氧化膜破坏，露出清洁的金属表面，偏于键合。特点：适合细丝、粗丝以及金属扁带不需外部加热，对器件无热影响可以实现在玻璃、陶瓷上的连接适用于微小区域的连接3.定位（第2次键合）1.定位（第一次键合）超声压头Al丝基板电极芯片电

5、极2.键合加压超声波振动4.键合－切断拉引超声键合法工艺过程超声键合实物图1.2.3热超声键合法（TSB）基理：利用超声机械振动带动丝与衬底上蒸镀的膜进行摩擦，使氧化膜破碎，纯净的金属表面相互接触，接头区的温升以及高频振动，使金属晶格上原子处于受激活状态，发生相互扩散，实现金属键合。工作原理：在超声键合机的基板支持台上引入热压键合法中采用的加热器，进行辅助加热；键合工具采用送丝压头，并进行超声振动；由送丝压头将Au丝的球形端头超声热压键合在基板的布线电极上。1.2.4三种引线连接方法对比特性热压键合法超

6、声键合法热超声键合法可用的丝质及直径Au丝φ15～φ100umAu丝，Al丝Φ10～φ500umAu丝Φ15～φ100um键合丝的切断方法高电压（电弧）拉断拉断(超声压头)拉断(送丝压头)高电压(电弧)高电压（电弧）拉断优点键合牢固，强度高；在略粗糙的表面上也能键合；键合工艺简单无需加热；对表面洁净度不十分敏感；与热压键合法相比，可以在较低温度、较低压力下实现键合缺点对表面清洁度很敏感；应注意温度对元件的影响对表面粗糙度敏感；工艺控制复杂需要加热；与热压法相比工艺控制要复杂些其他适用于单片式LSI最适合

7、采用Al丝适用于多芯片LSI的内部布线连接1.3梁式引线法定义：采用复式沉积方式在半导体硅片上制备出由多层金属组成的梁，以这种梁来代替常规内引线与外电路实现连接。特点：主要在军事、宇航等要求长寿命和高可靠性的系统中得到应用。其优点在于提高内引线焊接效率和实现高可靠性连接，缺点是梁的制造工艺复杂，散热性能较差，且出现焊点不良时不能修补。芯片梁式引线基板电极热压接梁式引线法示意图2.0倒装芯片（FCB）互连特点：封装速度高，可以同时进行成百上千个以上焊点的互连；焊球直接完成芯片和封装间的电连接，实现了芯片和

8、封装间最短的电连接通路，具有卓越的电气性能；芯片电极焊接点除边缘分布外，还可以设计成阵列分布，因此，封装密度几乎可以达到90%以上。定义：在芯片的电极处预制焊料凸点，同时将焊料膏印刷到基板一侧的引线电极上，然后将芯片倒置，使芯片上的焊料凸点与之对位，经加热后使双方的焊料熔为一体，从而实现连接。凸点芯片电极PCB倒装芯片法示意图钎焊在芯片上形成金属化层，在金属化层上制作钎料合金凸点；芯片面向下与基板上的金属化层对准；加热使钎料合金熔化，形成连