无机材料物理化学试题改.doc

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1、无机材料物理化学试题1答案一、填空题（每空1分，共20分）1.晶体结构中的热缺陷有弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷二类。2.三T图中三个T代表温度、时间和转变。3.玻璃具有下列通性：各向同性、介稳性、熔融态向玻璃态转化的可逆与渐变性和熔融态向玻璃态转化时物理、化学性质随温度变化的连续性。4.固体质点扩散的推动力是化学位梯度，液－固相变过程的推动力是过冷度，烧结过程的推动力是粉状物料的表面能与多晶烧结体的能量差。logD1000/T(1)(2)5.试验测得NaCl的扩散系数与温度关系如图所示，直线（1）属

2、本征扩散，直线（2）属非本征扩散；如果提高NaCl的纯度，两直线的转折点向左方向移动。1/T6.固体质点扩散的推动力是化学位梯度。7．在硅酸盐熔体中，当以低聚物为主时，体系的粘度小、析晶能力大。8.写出缺陷反应式二．（10分）已知O2溶解在FeO晶体中形成贫铁氧化物Fe1-X的反应如下：试用扩散的微观理论推导Fe2＋的扩散系数DFe2＋与氧分压PO2的关系式。三．（10分）写出杨德尔模型要点及动力学关系式，为什么在转化率高时出现偏差？金斯特林格主要在杨德尔模型的基础上考虑了什么影响？答：杨德尔方

3、程在反应初期具有很好的适应性，但杨氏模型中假设球形颗粒反应截面积始终不变，因而只适用反应初期转化率较低的情况。而金氏模型中考虑在反应进程中反应截面积随反应进程变化这一事实，因而金氏方程适用范围更广，可以适合反应初、中期。两个方程都只适用于稳定扩散的情况。第２４页四（15分）说明影响扩散的因素？答：化学键：共价键方向性限制不利间隙扩散，空位扩散为主。金属键离子键以空位扩散为主，间隙离子较小时以间隙扩散为主。缺陷：缺陷部位会成为质点扩散的快速通道，有利扩散。温度：D=D0exp（-Q/RT）Q不变，

4、温度升高扩散系数增大有利扩散。Q越大温度变化对扩散系数越敏感。杂质：杂质与介质形成化合物降低扩散速度；杂质与空位缔合有利扩散；杂质含量大本征扩散和非本征扩散的温度转折点升高。扩散物质的性质：扩散质点和介质的性质差异大利于扩散扩散介质的结构：结构紧密不利扩散。五（15分）试述熔体粘度对玻璃形成的影响？在硅酸盐熔体中，分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化？为什么？答：1)熔体粘度对玻璃形成具有决定性作用。熔体在熔点时具有很大粘度，并且粘度随温度降低而剧烈地升高时，容易形

5、成玻璃。2)在硅酸盐熔体中，加入R2O，随着O/Si比增加，提供游离氧，桥氧数减小，硅氧网络断裂，使熔体粘度显著减小。加入RO，提供游离氧，使硅氧网络断裂，熔体粘度降低，但是由于R2+的场强较大，有一定的集聚作用，降低的幅度较小。加入B2O3，加入量少时，B2O3处于三度空间连接的[BO4]四面体中，使结构网络聚集紧密，粘度上升。随着B2O3含量增加，B3+开始处于[BO3]三角形中使结构网络疏松，粘度下降。六（10分）简要说明：（1）材料烧结时四种最基本的传质机理是什么？少量添加剂能促进烧结，

6、其原因是什么？答：固相烧结的主要传质方式有蒸发-凝聚传质和扩散传质，液相烧结的主要传质方式有溶解-沉淀传质和流动传质。1)外加剂与烧结主体形成固溶体使主晶格畸变，缺陷增加，有利结构基元移动而促进烧结。2)外加剂与烧结主体形成液相，促进烧结。3)外加剂与烧结主体形成化合物，促进烧结。4)外加剂阻止多晶转变，促进烧结。5)外加剂起扩大烧结范围的作用。（2）说明晶粒长大和二次再结晶这两种过程的主要区别，在工艺上如何防止晶粒异常长大？答：两者的比较见表格：二次再结晶晶粒长大不均匀生长均匀生长不符合Dl=

7、d/f符合Dl=d/f气孔被晶粒包裹气孔排除界面上有应力界面无应力当达到Vb=Vp时，应适当保温，避免出现Vb>Vp的情况。七（20分）分析下列相图1.划分副三角形；2.用箭头标出界线上温度下降的方向及界线的性质；3.判断化合物S的性质；4.写出各无变量点的性质及反应式；5.分析点1、2熔体的析晶路程。(注：S、1、E3在一条直线上)第２４页dabg答：1）如图所示；2）温度下降方向如图所示；界线性质：单箭头所示为共熔线，双箭头所示为转熔线。3）不一致熔融三元化合物；4）E1:三元低共熔点，L→

8、A+S+C；E2：三元低共熔点，L→C+S+B；E3：双转熔点，L+A+B→S；LÛBf=2熔体2Lf=32[B，(B)]f[B,B+(A)]LÛA＋Bf=1E3[g,A+B+(S)]L＋A＋BÛSf=0E3[h,(A消失)＋B＋S]L+BÛSf=2i[I,S+B]LÛS＋Bf=1E2[k,S+B+(C)]LÛS＋A＋Bf=0E2(L消失)[2,S+B+C]LÛAf=2熔体1Lf=31[A，(A)]C[A,A+(B)]LÛA＋Bf=1E3[a,A+B+(S)]L＋A＋BÛSf=0E3[s,(A+