DDR2布线约束参考.doc

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1、布线约束参考           路径分成三段           ?路径1（#1）：控制器到第一条DIMM的路径，包括DQ/DQS信号、地址信号和控制信号。           ?路径2（#2）：第一条DIMM到第二条DIMM之间的路径，包括DQ/DQS信号、地址信号和和控制信号。           ?路径3（#3）：第二条DIMM到VTT上拉电阻的路径，只有地址信号和控制信号。数据信号有ODT。           约束以下关键长度           ?#1典型长度在1900mil至4500mil之间。           ?#2典型长度约为425mil左右。         

2、  ?#3典型长度在200mil至550mil之间。#3丌需要时序约束。           ?同一个数据信号组（包括DQ及对应DQS）需要精确的匹配长度，长度差异要求在+/-50mil。其中分配给#1           度差异要求在+/-30mil，分配给#2的长度差异要求在+/-20mil。           ?所有数据信号组的组间长度差异要求在+/-500mil。           ?地址信号间的长度差异要求在+/-200mil。DDR，DDR2的时序要求一般比较高，所以对于时钟、地址控制线、数据、DQS等的等长要求较高。以下简单说一下DDR，DDR2的等长布线要求-?'_

3、#Y3y1`DDR时钟（查分）:一般要求差分阻抗100欧。线宽、间距需要根据叠层结构计算出来，与其他走线的间距要满足3w规则；必需精确匹配差分对走线误差，允许在＋30mil以内。KDDR地址、片选及其他控制线：单端阻抗50欧。应走成菊花链状拓扑，可比ddrclk线长1000－2500mil，绝对不能短。DDR数据线，ddrdqs，ddrdm线：单端阻抗50欧。最好在同一层布线。数据线与时钟线的线长差控制在50mil内。其中要特别注意DQS的走线，要满足3W规则。(P7Y;N0E;H-r+G其中PCB走线阻抗都要根据实际的叠层结构计算。2010年03月10日星期三22:57DDRSDRA

4、M：严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存

5、储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样

6、的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2的详解RDRAM：RDRAM（RambusDRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时

7、期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息