电容器基本知识.doc

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1、電容器基本知識一、定義：由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器二、代號：“C”三、單位：法拉(F)微法(uF)納法(nF)皮法(pF)1F=106uF=109nF=1012pF四、特性：通交流、阻直流因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由於電容能充放電所致，所以能通上交流五、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等六、電容的串聯、並聯計算1.串聯電路中，總容量=1÷各電容容量倒數之和例：2.並聯電路中，總容量=各電容容量之和例：七、電容的標示：1.直標法：直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V2.代

2、表法：用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等如：104Z“104”表示容量為“100000pF”“Z”表示容量誤差“+80%-20%”“”表示工作電壓“50V”八、電容的分類1.按介質分四大類1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質，一般有真合介質、漆膜介質等)2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質，如鋁Al2O3鉭Ta2O5)4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合)1.按結構分四大類1).固定電容器2).可變電容器3).微調電容器(半可變電容器)4).電解電容器2.按用途分1

3、).按電壓分低壓電容器、高壓電容器2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒)3).按電路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等九、我司主要使用之電容：1).電解電容2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容)3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器)電解電容(E/C)一、概述電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的，陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3)，此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層，氧化膜的厚度即為箔間之距離(d)，此厚度可由化成來加

4、以控制，由於氧化膜的介電常數高且厚度薄，故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液，而陰箔只是將電流傳屋電解液而已，電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极，以陽极氧化所開氧化膜作為電介質，以液體電解液為電解質，另與陰极鋁箔所構成之電容器。一、基本結構：套管、鋁殼、膠水或膠帶、電解紙、電解液、陽极箔、陰极箔、鋁端子、封口橡膠蓋。二、特點：容量大、體積大、有极性。三、用途：它且有极性，一般用於直流電路中作濾波、整流。四、工作電壓：6.3V、10V、16V、25V、35V、5

5、0V、63V、80V、100V、160V、200V、300V、400V工作溫度：6.3V～100V(-40℃～+105℃)；100V以上(-40℃～+85℃)五、電氣測試的四大參數：1.靜電容量(CAP)：電容器是用來儲存電荷的元件，電容器所能儲存電荷之能力，稱之為電容器的容量。計算公式：C=εKS／1.8πd式中C表示容量；S表示金屬片面積；K表示腐蝕系數；d表示介質厚度(兩金屬片距離)；ε表示介電系數從公式可以看出：C與S成正比；C與d成反比。測試條件：120HZ0.25V25℃單位“uF”或“F”“nF”2.損失角(DF)：電容器在電場作用下，單位時間內

6、因發熱而消耗的能量稱之為DF。測試條件：120HZ0.25V25℃一般用“%”表示3.洩漏電流(LC)：陽箔化成膜如不遭破壞，則陽极與陰极間應沒有電流流過，而在實際生產中化成膜並非十分完整，常會受到輕微的污染、磨損，致使兩极間有一少許電流流通，此電流叫洩漏電流。計算公式：6.3V～160V容量*電壓*0.01(單位uA)160V以上容量*電壓*0.03(不足3uA計算)測試條件：加電壓達到工作電壓，充電1分鐘，20℃環境4.等效串聯電阻(LOWESR)：任何物體都存在一定的電阻計算公式：ESR=DF/2πfc公式中：ESR單位為Ω；f表示頻率(100KHZ)；

7、C表示容量(F)測試條件：100KHZ0.25V六、電解電容的制作流程及流程中應注意事項鋁原箔電蝕鋁原箔陽极箔使用厚度約50～100mm，純度99.99%以上，陽极箔厚度約20～60mm，純度99.80%以上(原箔不純物含量過多時，氧化膜將產生缺陷，此缺陷會導致洩漏電流增大，而減低電容器之使用壽命)陽极箔化成電蝕的目的在於增加鋁原箔之有效面積，以增加其單位面積容量，方式有：化學式、直流電解式、交流電解式、直流交流復合電解式陽极電蝕鋁箔置於化成液中，利用電氣化學原理使陽极電蝕鋁箔表面生成氣化膜，此過程稱為化成。氧化膜厚度決定電容器兩极板間距離，故控制化成條件，可

8、竿所容量，方式有：定電壓化成法及定電流