boost电路设计-张凯强.doc

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1、课程设计说明书课程名称:电力电子课程设计设计题目:Boost电路的建模与仿真专业:自动化班级:自091学号:0902100202姓名:张凯强指导教师:陆益民广西大学电气工程学院二○一一年十二月1.题目一个Boost变换器的设计2.任务设计一个Boost变换器,已知V1=48V±10%,V2=72V,I0=0~1A。要求如下:1)选取电路中的各元件参数,包括Q1、D1、L1和C1,写出参数选取原则和计算公式;2)编写仿真文件,给出仿真结果:(1)电路各节点电压、支路流图仿真结果;(2)V2与IO的相图(即V

2、2为X坐标;IO为Y坐标);(3)对V2与IO进行纹波分析;(4)改变R1,观察V2与IO的相图变化。3)课程设计说明书用A4纸打印,同时上交电子版(含仿真文件);4)课程设计需独立完成,报告内容及仿真参数不得相同。一、原理分析分充电和放电两个部分来说明(假设MOS管断开很久,所有元件都处在理想状态):充电过程在充电过程中,开关闭合(MOS管导通),等效电路如图二,开关(MOS管)处用导线代替。这时,输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电,所以电感上的电流以一定的比率线性增加,这个比率

3、跟电感大小有关。随着电感电流增加,电感里储存了一些能量。放电过程如图,这是当开关断开(MOS管截止)时的等效电路。当开关断开(MOS管截止)时,由于电感的电流保持特性,流经电感的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开,于是电感只能通过新电路放电,即电感开始给电容充电,电容两端电压升高,此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。升压过程就是一个电感的能量传递过程二、设计:已知参数:输入电压:48V---V1输出电压:72V---V2输出电流:1A---Io设定工作频率f:50K

4、Hz1)Q1、D1、L1和C1元件的选取:为提高转换效率需:1.尽可能降低开关管导通时回路的阻抗,使电能尽可能多的转化为磁能;2.尽可能降低负载回路的阻抗,使磁能尽可能多的转化为电能,同时回路的损耗最低;3.尽可能降低控制电路的消耗,因为对于转换来说,控制电路的消耗某种意义上是浪费掉的,不能转化为负载上的能量所以在仿真时选取的D1,Q1都为理想管,无电阻和导通压降计算(1)占空比(由伏秒平衡原理得):(2)负载电阻R:(3)电感L:(4)电容C:2)、编写仿真文件,给出仿真结果:仿真得到72V的输出电压和

5、0.8A的电流,如图:(1)电路各节点电压、支路流图仿真结果;电压图:电流图:(2)V2与IO的相图(即V2为X坐标;IO为Y坐标),这里相图在此软件上不能调出,所以只能V2-t,IO-t放在一起对比:(3)对V2与IO进行纹波分析;通过MOS管的通断,和电感的对电流的作用,电压V2产生锯齿纹波,而二极管的通断是由占空比控制的,所以其为占空比为2/3的方波.(4)改变R1,观察V2与IO的相图变化。R1=200ΩR1=500ΩR1=50Ω可以发现,电阻不宜过大,最终趋于稳定时的值符合线性关系V2=R1*D

6、’*IO器件选用补充说明:1.电感不能用磁体太小的(无法存应有的能量),线径太细的(脉冲电流大,会有线损大).2整流管大都用肖特基,大家一样,无特色,在输出3.3V时,整流损耗约百分之十.3开关管(MOS管),关键在这儿,放大量要足够进饱和,导通压降一定要小,是成功的关键.总共才一伏,管子上耗多了就没电出来了,因些管压降应选最大电流时不超过0.2--0.3V,单只做不到就多只并联.......4最大电流有多大呢?我们简单点就算1A吧,其实是不止的.由于效率低会超过1.5A,这是平均值,半周供电时为3A,实

7、际电流波形为0至6A.所以建议要用两只号称5A实际3A的管子并起来才能勉强对付.5现成的芯片都没有集成上述那么大电流的管子,所以建议用土电路就够对付洋电路了.以上是书本上没有直说的知识,但与书本知识可对照印证.开关管导通时,电源经由电感-开关管形成回路,电流在电感中转化为磁能贮存;开关管关断时,电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正,此电压叠加在电源正端,经由二极管-负载形成回路,完成升压功能。既然如此,提高转换效率就要从三个方面着手:1.尽可能降低开关管导通时回路的阻抗,使电能尽可能多的转化为磁能;2.

8、尽可能降低负载回路的阻抗,使磁能尽可能多的转化为电能,同时回路的损耗最低;3.尽可能降低控制电路的消耗,因为对于转换来说,控制电路的消耗某种意义上是浪费掉的,不能转化为负载上的能量。总结与体会做过很多次各科的课程设计了,但是这次的课程设计给我的印象最深。通过这次的课程设计,我发现了电力电子技术的重要性,它里面的器件如MOSFET之类的还可以对我们实际的电路起到提高效率和保护作用,可以通过控制它的触发脉冲来实现它的关断,这都是非

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