场效应管N沟道和P沟道判断方法.pdf

《场效应管N沟道和P沟道判断方法.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、1．场效应管N沟道和P沟道判断方法（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞（2）场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增

2、强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。2．如果要问更简单的测试方法，就是：找一块有R*10K挡的指针表，将表打在R*10K挡，把管子放在绝缘好的板上，（因为场效应管的输入阻抗非常高），如万用表的玻璃上，先用镊子短路一下管脚，用黑笔定住D极，红笔定住S极，用一个手指摸G极，另一手指摸黑笔，这时候表针大幅度偏转，摸着G极的手指不放，摸着黑笔的手指放开黑笔，去摸红笔，这时表针反偏，再摸黑笔正偏，又摸红笔又反偏，正常的管子偏

3、转脚度非常大，接近0欧姆，坏的管子不偏转，（不包括击穿），性能变坏的偏转小。由于管子结构不同，在正偏时手指放开黑笔后表针反不反偏都为正常。（就是有的还是保持在0欧姆左右，有的手指放开黑表笔后表针就回到无穷大）。原理就是给控制栅极（G）加个高或低的电位，使其导通或截止。3．部分供电MOS管电压计算方法电路如图，这里常见MOS的S极输出电压计算与输入电压没有关系，和431上端的电阻也无关系，与图中的VCC也无关系(R1/R2的VCC有效，除外）Vout＝VrefX（Ra＋Rb）/Ra而Vref仅由R1、R2决定R1R

4、2RaRb四个电阻的人为修改，均可直接改变MOS输出电压其实11171084等器件内部也就是这样的新手知识：MOS管原理双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流

5、。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。金属极就是GATE，而半导体端就是backgat

6、e或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORKFUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对

7、器件整体的特性影响也非常小。图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATEDIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和

8、BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。图1.22MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG＝-3V）。图1.22C中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被