埋入式电容工艺.pdf

《埋入式电容工艺.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、生益电子埋入式电容工艺1内容1.发展背景2.埋入式电容工艺主要优缺点3.制作方式4.目前埋入式电容工艺发展及应用情况5.生益电子在埋入式电容工艺方面研发u开始时间u工艺方式2内容u选用材料u测试版设计u制作能力u总结6.埋入式电容设计建议3发展背景1.表面电容器SMT电容器元器件焊盘电容与器件间引线电地层4发展背景2.PCB表面电容器的作用电容是保证PCB质量的关键，处理器内部工作时，三极管导通与截止瞬间会因起电源电流变化，当信号通过PCB相邻线时，发生感应而引起内部干扰，影响信号传输的品质。电容器具有储存电荷作用，可将高频噪音以能量暂存方式予以吸收，从而降低系统电源波动，保证信号传输的完整

2、性。5发展背景3.埋入式电容发展必然性u电子产品高频、高性能化的加剧，内部干扰日益严重，要求更多的电容器u电子产品的小型化，电容的集成化，使埋入式电容成为必要u埋入式电容引制电路板是集成元件板（ICB）的一种。是由美国的一家PCB公司ZYCON于1992年最先提出的（BuriedCapacitor）6发展背景4.埋入式电容电源层焊盘元器件接地层信号层埋入式电容电介质层7埋入式电容工艺主要优缺点1.优点u埋入式电容可以有效的减小PCB的尺寸，降低成品成本u由于电容为埋入式使表面焊点的数量大大减少因而增加了产品的可靠性u埋入式电容能增强电路的电器性能，减少电信号传输的噪音及高频震荡等。8埋入式电

3、容工艺主要优缺点2.缺点u埋容材料厚度较薄，一般电解质厚度仅为0.55mil或1mil，且电解质层中未填加任何增强材料，极易产生折痕或铜面凹痕，在某些生产线生产时必须使用导引板（LeaderBoard）或边框（Frame）辅助生产。u制作流程中易引起电容波动，不易控制9制作方式1.方式目前埋入式电容的制作工艺主要有网印膜厚法，半导体薄膜法，及层压电容材料法等，层压材料法工艺现对来讲简单，易于控制，成本相对较低，是很有前途的技术。10制作方式2.电容计算电容计算公式：法拉第定律C=εr*ε0*A/t，εr为材料介电常数，ε0为真空介电常数=2.25*10-3Coulomb/（Nin2）=8.8

4、5*10-12Coulomb/（Nm2），A为电容器的正对面积即电容的设计面积，t为两极间距离即电解质层厚度，(1)对于HK4而言，主要物理性能：介电常数3.5；电容密度0.8nF/Inch2。HK4的电解质层厚度为1mil。HK4埋电容材料的理论电容值计算公式按英制单位可转化为：C（pF）=0.8*A/1000(2)对于C-PLY而言，主要物理性能：介电常数16；电容密度6.4nF/Inch2。C-PLY电解质层厚度为0.55mil。C-PLY埋电容材料理论电容值计算公式按英制单位可转化为：C（pF）=0.2247Dk·A/t=6.4*A/1000（C—电容值，单位pF；Dk—介电常数；A

5、—电极面积，单位in2；t—埋电容介质厚度，单位mil）11埋入式电容工艺发展及应用u发展情况在国外，埋电容技术已有近15年的历史，目前在国内已有部分PCB制造厂家小批量制作，这说明埋电容技术日益成熟。u应用情况高档计算机、电信、检测、军事和航空、汽车等行业。12生益之埋入式电容工艺1.开始时间(1)2004.6生益公司开始从事埋入式电容工艺的研发，采用DUPONT公司的InterraTMHK4系列埋容材料。(2)2005.8采用3M公司的C-PLY埋容材料进行层压材料法工艺制作埋容板。通过多次制作样板，我们积累大量的经验，具备大批量制作能力。(3)2008.4采用OAK-MITSUI公司的

6、FaradFlexBC12TM制作埋容板，我司具备用此材料批量制作能力。13生益之埋入式电容工艺2.工艺方式生益研发的埋入式电容工艺是采用层压材料法工艺，目前主要用3MC-PLY埋容材料材作埋容板。目前对于3M之C-Ply埋容材料，其常规尺寸主要有以下几种：18″×24″、18″×16″、18″×12″、19″×24″、19″×16″、19″×12″。14生益之埋入式电容工艺3.选用材料3.1材料1:采用的层压材料是3M公司的C-Ply埋电容材料。该材料为陶瓷/环氧的压延铜覆铜板。陶瓷/环氧电解质具有优良的耐热性和良好的高频性、抗辐射性等特点，广泛的应用于高性能材料领域及军事科研领域。C-P

7、ly使用的陶瓷/环氧电解质厚度仅为0.55mil，且电解质层中未填加任何增强材料，极易产生折痕或铜面凹痕，在某些生产线生产时必须使用导引板（LeaderBoard）或边框（Frame）辅助生产。15生益之埋入式电容工艺3MTMEmbeddedCapacitorMaterialKeypropertiesAttributeValueCapacitance/area6.4nF/in2DielectricConsta